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我公司最近推出的NbOx,IGZO,TiOx,MoS2,MoNb等平面靶材,纯度高,密度好,产量大,欢迎新老客户来电来函咨询洽谈

 

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化合物半导体部门
主要设备名称: a. 高压合成炉;b. 单、双、多温区合成炉;c. 真空反应炉;
d. 定向凝固设备; e. 区熔设备; f. 蒸馏炉;g. 单晶炉; h. 高纯水设备;

设备能力:10吨/月;

主要服务:化合物合成、掺杂、制粉、区熔提纯;(也可以热压成型各种制品)

产品规格:粉末(-80目, -160目等), 颗粒(1-3mm, 3-6mm, 1-12mm等);

产品纯度:99.999min, 99.999%min;

产品范围:
高纯单一元素
Ge、Si、Al、Cu、S、Se、Te、Bi、Sb、As、Sn、Pb、Ga、In、Cd、Co、Ni、Ti、Zn
高纯硫化物
Ag2S, Al2S3, As2S3, Bi2S3, CdS, CoS2, CuS, Cu2S, FeS, GaS, Ga2S3, GeS, HgS, In2S3, La2S3, MoS2, MnS, NbS2, NiS, PbS, Sb2S3, SnS, SnS2, TaS2, TiS2, Te2S3, WS2, ZnS, ZrS
高纯碲化物
Ag2Te, Al2Te3, As2Te3, Bi2Te3, CdTe, CoTe, CuTe, Cu2Te, FeTe, GaTe, Ga2Te3, GeTe, HgTe, InTe, In2Te3, La2Te3, MoTe2, MnTe, NbTe2, NiTe, PbTe, Sb2Te3, SnTe, TaTe2, TiTe2, WTe, ZnTe, ZrTe;
高纯硒化物
Ag2Se, Al2Se3, As2Se3, As2Se, Bi2Se3, CdSe, CoSe, CuSe, Cu2Se, FeSe, GaSe, Ga2Se3, GeSe, InSe, In2Se3, La2Se3, MoSe2, MnSe, NbSe2, NiSe, PbSe, Sb2Se3, SnSe, TaSe2, TiSe2, WSe, ZnSe, Zn3Se2, ZrSe;
高纯砷化物
Cd3As2, PbAs, SnAs, ZnAs2, Zn3As2
高纯锑化物
AlSb, CdSb, GaSb, InSb, In2Sb3, PbSb, SnSb, ZnSb
高纯多元素化合物
AgInS2, AgInTe2, BixSb1-xTe, CdInTe4, CuZnSnS, CIGS(CuInxGa1-xSe2), CIGSS (CuInxGa1-x(Se.S)2), CuInSe2, GaxAl1-xAs, GeSbTe, PbxSn1-xAs, ZnIn2Te4, ZnxCd1-xTe;

质量体系:ISO 9001:2008
专利产品:铜铟镓硒溅射靶材,硒化铟溅射靶材,碲化铥溅射靶材,钼铌溅射靶材

 

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