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磷化镓靶材(GaP)

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磷化镓(GaP)是镓的磷化物,是无机化合物,也是半导体材料,其间接能隙为2.26eV(300K)。其多晶的材料为淡橙色。未掺入杂质的单晶芯片会是透明的橙色,但大量掺入杂质的芯片因为吸收自由电子,其颜色会变深。磷化镓无味,不会溶于水。


若要变成N型半导体,需要掺杂硫或是碲,若要制作P型半导体,需要掺杂锌。


磷化镓常用在光学系统中,其折射率在波长262 nm (UV)时为4.30,波长550 nm (green)时为3.45,波长840 nm(IR)时为3.19[。


自1960年代起,磷化镓就会用来做低价的红色、绿色及橘色发光二极管,亮度低至中等都有。在大电流时其寿命较短,其寿命对温度也相当敏感,一般会独立使用,或是配合磷砷化镓使用。


纯的磷化镓会发波长555 nm的绿光,掺杂氮的会发出波长565 nm的黄绿光,掺杂氧化锌的会发红光(700 nm)。


磷化镓会被黄光及红光穿透,因此磷化镓为基板的磷砷化镓会比以砷化镓为基板的要好。


在温度到900 °C时,磷化镓会分解,并且磷会以气体方式离开。在LED芯片成长时,温度会到1500度,为避免前叙情形,需将磷密封在熔化的氧化硼中,并用10-100大气压力的不活性气体加压。此程序称为液体密封切克劳斯基法(LEC),是硅芯片制程中柴可拉斯基法的变形。