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锑化铋颗粒（BiSb）

锑化铋颗粒（BiSb）
  • 锑化铋颗粒（BiSb）
锑化铋颗粒（BiSb）基本信息
分子式BiSb
纯度99.999%
CAS号
摩尔质量330.740
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

锑化铋颗粒（BiSb）产品概况

锑化铋颗粒是以高纯铋（Bi，≥99.999%）和锑（Sb，≥99.99%）为原料，通过 区熔定向凝固-机械破碎-等离子球化 工艺制备的拓扑半导体材料，化学配比Bi₁₋ₓSbₓ（x=0.07-0.22），粒径范围10-500 μm（激光粒度仪验证），晶体结构为菱方R-3m相（XRD Rietveld精修）。其具备 强各向异性塞贝克效应（300K时>150 μV/K）、本征拓扑绝缘特性（体带隙>30 meV）及超低晶格热导率（<0.8 W/m·K），专用于高效热电转换模块、量子计算马约拉纳费米子载体、红外光电探测器及自旋电子器件。通过晶面取向调控（(110)面占比>85%）、表面钝化（Bi₂O₃/Sb₂O₅复合膜）及载流子浓度优化（n/p型切换至10¹⁸ cm⁻³），满足低温制冷、拓扑量子比特及太赫兹波调制对材料电热输运协同性的核心需求。


锑化铋颗粒（BiSb）产品应用

1.能源转换与制冷​
​微型热电模块​：
宇航级同位素电池：BiSb/MnTe超晶格 → 温差发电效率>15%（ΔT=500℃）。
5G光模块TEC制冷：5秒内降温至-50℃（热响应速率超传统Bi₂Te₃三倍）。
​2.量子信息技术​
​拓扑量子比特​：
BiSb纳米线阵列（直径<100 nm）→ 马约拉纳零能模态探测（探测精度90%）。
​自旋电子器件​：
巨磁阻传感单元（1 mT分辨率），非易失自旋存储器。
3.​光电探测与通信​
​中红外焦平面阵列​：
3-5 μm波段探测率>10¹¹ Jones（77K背景限值）。
​太赫兹波调制器​：
载流子浓度电调控 → 0.1-10 THz反射率动态切换>30 dB。

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