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硼化钽(TaB₂)靶材

硼化钽(TaB₂)靶材
  • 硼化钽(TaB₂)靶材
硼化钽(TaB₂)靶材基本信息
分子式TaB₂
纯度99.9%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性(水)

硼化钽(TaB₂)靶材产品概况

        采用硼热还原超纯钽粉(≥99.995%)+ 自蔓延高温合成(SHS) 制备,经热等静压致密化+等离子体表面活化获得具备极端耐蚀/超高温导电双功能的靶材。核心特性包括:

•纳米层状结构(六方晶系c轴择优取向,晶面间距 d(001)=3.28±0.02Å)

类金属导电性(电阻率 ≤15μΩ·cm,载流子迁移率 ≥120cm²/V·s)

等离子体侵蚀阈值(氩离子轰击阈值 ≥500eV)

原位氧化自保护(800℃生成TaBO₃钝化膜,厚度 ≤50nm)
    在磁控溅射中实现薄膜硬度≥45GPa,高温电弧烧蚀率<0.05mm/s(3000K),突破核聚变装置与高超音速飞行器的材料极限。

核心价值源于硼-钽强共价网络

➊ 极端环境防护

·熔融金属耐蚀(抗铝液侵蚀速率<0.01mm/h@1000°C)

·超高温强度保持(1800℃℃抗弯强度 >800MPa)

➋ 高效能量管理

·电子发射性能(功函数 中=3.8±0.1eV,场发射阈值<3V/um)

·热中子吸收截面(>20barn,为石墨的50倍)

➌ 界面强韧化

·膜基结合力(临界载荷 Lc≥100N)

·裂纹自抑制效应(断裂韧性 KIC≥7MPa·m'/)


硼化钽(TaB₂)靶材产品应用

​主导应用覆盖聚变能装置与尖端装备​
1. ​核聚变堆核心部件​
▸ 第一壁抗等离子体轰击层(耐受 ​10²³ m⁻²·s⁻¹​ 氘氚通量)
▸ 偏滤器主动冷却基板(热负荷 ​>20MW/m²工况下零剥落)

2. ​高超音速飞行器​
▸ 前缘热防护系统(马赫数 ​Ma=12​ 气动加热下结构完整)
▸ 电磁窗透波层(10GHz介电损耗 ​tanδ<0.001)
3. ​半导体离子注入​
▸ 极紫外光刻机电极(抗等离子体溅射寿命 ​>5000h)
▸ 离子注入机靶盘(表面粗糙度变化 ​ΔRa<5nm/千次)
4. ​超高温传感器​
▸ 火箭发动机测温电极(3000K热电稳定性 ​​±0.5%​)
▸ 熔盐堆腐蚀探针(响应时间 ​​<10ms)

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