科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
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| 氮化硼坩埚(BN)基本信息 | |
| 分子式 | BN |
| 纯度 | 99.7% |
| CAS号 | 10043-11-5 |
| 摩尔质量 | 24.82 g/mol |
| 密度 | h-BN 理论密度 2.1 g/cm³;坩埚制品实际密度 1.9–2.2 g/cm³(热压件),PBN 可达 2.15 g/cm³ |
| 熔点 | 约 2973 °C(氮气压力下);常压下约 2500 °C 升华,无明确液态熔点 |
| 沸点 | 无常规沸点;约 3000 °C 以下升华(部分资料标 3273 °C) |
| 溶解性(水) | 不溶于水、稀酸;可被熔融碱(如 NaOH、KOH)分解;不溶于大多数有机溶剂 |
优异的耐热震性:热膨胀系数极低(~1×10⁻⁶/°C),可快速升降温不开裂
化学惰性强:与大多数金属熔体、玻璃熔液、稀土材料不润湿、不反应
自润滑 / 易脱模:类石墨层状结构,熔体不粘附,成品易取出
高温绝缘:电阻率 >10¹² Ω・cm,介电性能稳定
可加工性好:莫氏硬度仅 2,可车削、钻孔、加工成复杂形状
低污染:高纯 PBN 无烧结助剂,金属杂质极低,适合半导体级应用
| 氮化硼坩埚(BN)产品应用 |
1. 真空镀膜与蒸发源
电子束蒸发、热蒸发镀膜中的蒸发坩埚 / 蒸发舟
沉积金属、合金、氧化物薄膜时的材料容器
相比氧化铝 / 石英坩埚,不与蒸镀材料反应、无飞溅污染
2. 半导体与晶体生长
MOCVD / MBE 外延生长用 PBN 坩埚、PBN 衬底托
化合物半导体(GaAs、InP、GaN)单晶生长
稀土金属、活泼金属熔炼容器
3. 高温熔炼与冶金
贵金属(金、银、铂族)熔炼
玻璃、釉料、荧光粉的高温熔融
稀土材料、核材料的熔炼与烧结承载
4. 实验室与分析仪器
高温差热分析(DTA)、热重分析(TGA)样品皿
马弗炉、管式炉通用坩埚
原子吸收光谱(AAS)样品舟
5. 其他
高温炉隔热环、绝缘套管
等离子体放电管、喷嘴
锂电池固态电解质烧结载体