科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
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| 5N超高纯碘(99.999%)基本信息 | |
| 分子式 | I₂ |
| 纯度 | 99.999% |
| CAS号 | 7553-56-2 |
| 摩尔质量 | 126.90 |
| 密度 | 4.93 g/cm³ |
| 熔点 | 113.5℃ |
| 沸点 | 184.35℃ |
| 溶解性(水) | 水:微溶(20℃约 0.3 g/L) 有机溶剂:易溶于乙醇、乙醚、氯仿、CCl₄(呈紫色) 碘化物溶液:极易溶(形成 I₃⁻,深棕色) |
5N(99.999%)超高纯碘,核心是金属杂质<1ppm、关键重金属(Fe/Cu/Ni)<0.1ppb、水分<10ppm,属于半导体 / 极紫外光刻 / 核级 / 高端光电专用,4N 只是它的 “入门级”。
| 5N超高纯碘(99.999%)产品应用 |
5N(99.999%)超高纯碘,核心是金属杂质<1ppm、关键重金属(Fe/Cu/Ni)<0.1ppb、水分<10ppm,属于半导体 / 极紫外光刻 / 核级 / 高端光电专用,4N 只是它的 “入门级”。下面按 “最核心→次核心→科研 / 特种” 讲透用途:
一、半导体先进制程(最核心、卡脖子)
1. EUV 光刻胶(3nm/2nm/1nm 必备)
合成EUV 光敏碘单体 / 光酸产生剂(PAG),碘原子在 EUV 光子下高效产酸,实现超高分辨率(≤10nm)。
5N 硬性要求:金属杂质<0.1ppb、卤素杂质<1ppm;4N 会直接导致光刻缺陷、良率归零、晶圆报废。
2. 半导体掺杂与高纯前驱体
p 型掺杂源:硅 / 锗 / 碳化硅(SiC)中原子级掺杂,用于功率 IGBT、新能源车功率器件、航天级传感器;杂质会造成晶格缺陷、漏电、击穿。
OLED/Mini LED/QD 前驱体:合成三甲基碘化铟、二乙基碘化锌、高纯碘化亚铜(CuI);5N 碘是蓝光 OLED 长寿命、钙钛矿电池高效率(>32%)、量子点高色纯的前提。
高纯碘化物气相沉积(CVD):制备高纯碘化镓、碘化铝,用于半导体外延层、二维材料(石墨烯 / 氮化硼)生长。
3. 晶圆清洗 / 刻蚀(超高洁净度)
碘系超净清洗液:去除晶圆表面纳米级金属残留(Fe/Cu/Ni),比酸洗液腐蚀性低、原子级洁净、无残留;5N 碘防二次污染、微短路、漏电。
高纯碘化氢(HI)刻蚀气:7nm 及以下节点硅 / 氧化硅刻蚀,精准控制刻蚀速率与均匀性;杂质会致刻蚀不均、图形畸变。
二、核医学与放射性同位素(高壁垒)
医用同位素基底(¹²⁵I/¹³¹I):5N 碘作为稳定同位素载体,用于甲状腺癌放疗、肿瘤靶向治疗、体外诊断(IVD)试剂、放射免疫分析(RIA)。
核级要求:放射性杂质<10⁻⁶%、重金属<0.1ppb;4N 会干扰成像、引发副作用、不符合药典。
三、高端光电与光学晶体(高附加值)
1. 碘化铯(CsI)/ 碘化钠(NaI)闪烁晶体
5N 碘合成高纯 CsI (Tl)、NaI (Tl),用于高能物理探测器、医疗 CT/PET、安检设备、天文望远镜;杂质会降低发光效率、增加噪声、缩短寿命。
2. 红外光学材料
掺杂 5N 碘制备超高纯红外玻璃、单晶棱镜、红外窗口,提升红外透过率(>98%)、降低散射,用于军事夜视仪、红外制导、航天遥感。
3. 高端偏光片
5N 碘配 PVA 膜,制高对比度(>1000:1)、高稳定性 LCD/OLED 偏光片;金属杂质<0.1ppb防屏幕色斑、老化、偏光效率下降。
四、高纯碘化物合成(原料级,你关注的 CuI 重点)
1. 5N 高纯碘化亚铜(CuI)
5N 碘 + 5N 铜合成5N CuI,用于:
OLED 空穴传输层(HTL):替代 PEDOT:PSS,寿命提升 5 倍、效率提升 20%;
钙钛矿太阳能电池:界面钝化、抑制载流子复合,效率突破 32%;
量子点(QLED)钝化层:消除表面缺陷、提升色纯与稳定性;
4N 碘制 CuI 会发黄、漏电、效率衰减、寿命缩短。
2. 其他 5N 碘化物
碘化钾(KI)/ 碘酸钾(KIO₃):电子级电解液、固态电池添加剂、高纯试剂;
碘化银(AgI):高纯感光乳剂、光学镀膜、人工降雨催化剂;
碘化镱(YbI₃)/ 碘化铈(CeI₃):稀土掺杂晶体、激光材料、上转换发光材料。
五、分析化学与科研(超高精度)
基准级碘量法试剂:5N 纯度、杂质<0.1ppm,用于标准溶液标定、痕量分析、超纯物质检测;4N 会致滴定误差>0.01%,无法满足半导体 / 医药痕量检测要求。
有机合成超高选择性碘化试剂:用于药物中间体、液晶材料、有机光电分子的原子级精准碘化,杂质会引发副反应、降低收率、影响纯度。