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高纯金属钒靶材(V)

高纯金属钒靶材(V)
  • 高纯金属钒靶材(V)
高纯金属钒靶材(V)基本信息
分子式V
纯度99.9-99.99%
CAS号7440‑62‑2
摩尔质量50.94 g/mol
密度6.11 g/cm³
熔点1910 ℃
沸点3407 ℃
溶解性（水）不溶于水；耐稀硫酸、稀盐酸、强碱；可溶于氢氟酸、硝酸、王水

高纯金属钒靶材(V)产品概况

金属钒靶材制作工艺：真空熔炼铸造（悬浮熔炼/电子束熔炼）-> 锻轧 -> 机械加工

钒薄膜性能（磁控溅射）

  1. 结构热学性能

晶体结构为体心立方 BCC；室温沉积以 (110) 择优取向；衬底加热＞300 ℃，(200) 取向占比提升；室温溅射晶粒尺寸 12‑35 nm；450 ℃退火后晶粒 50‑90 nm；残余应力‑150 ~ ‑650 MPa（压应力）；热膨胀系数(8.4 X10-6 K-1)；薄膜热导率 24‑29 W/(m・K)；大气中＞250 ℃易氧化生成 V₂O₅氧化层。

2. 电学性能

块体钒电阻率 24.8 μΩ・cm@20℃；未退火溅射钒薄膜电阻率 35‑65 μΩ・cm；400 ℃真空退火后降至 26‑38 μΩ・cm；电阻温度系数 0.0032‑0.0045 K⁻¹；薄膜越薄，晶界散射增强，电阻率上升。

3. 力学性能（纳米压痕）

纳米硬度 4.0‑6.2 GPa；弹性模量 110‑130 GPa；膜厚＞600 nm 容易因残余应力产生微裂纹。

4. 光学性能

550 nm 可见光反射率 62‑72%；折射率 n@550 nm：2.8‑3.3；消光系数 k：3.2‑3.9；氧化后反射率明显下降。

5. 化学稳定性

常温大气表面生成薄氧化钝化层；耐碱、耐稀非氧化性酸；温度＞250 ℃快速氧化；不耐硝酸、氢氟酸、王水腐蚀。


高纯金属钒靶材(V)产品应用

薄膜应用
1. 半导体微电子：芯片扩散阻挡层、金属接触电极；可制备 VOₓ热敏薄膜，用于非制冷红外微测辐射热计。
2. 功能涂层：难熔金属导电防护涂层，抗高温氧化改性基底。
3. 能源器件：储能电池、液流电池电极基底；电解催化薄膜。
4.MEMS 器件：MEMS 结构层、温度传感薄膜。
5. 科研实验：超导相关研究（Tc≈5.4K）、异质结、多层膜科研样品。

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