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高纯锰靶材(Mn)

高纯锰靶材(Mn)
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高纯锰靶材(Mn)基本信息
分子式Mn
纯度99.5%
CAS号7439-96-5
摩尔质量54.94 g/mol
密度7.3 g/cm³
熔点1244 ℃
沸点1962 ℃
溶解性(水)不溶于水;可溶于稀酸,生成锰盐并释放氢气

高纯锰靶材(Mn)产品概况

高纯锰靶为单质金属锰溅射靶,金属锰存在多种同素异形体;采用真空熔炼 + 锻造 / 轧制、粉末冶金工艺制备,可加工圆形、矩形平面靶,管状靶,可铟焊绑定无氧铜背板。 金属锰导电性能良好,支持 DC 直流溅射,也可 RF 射频溅射。金属锰质地偏脆,易氧化,加工、保存、绑定过程需要做好防护,避免表面氧化;溅射沉积的锰薄膜活性较高,容易氧化,镀膜工艺通常在惰性气氛下进行。

高纯锰靶材(Mn)产品应用

薄膜应用:
1. 半导体芯片:铜互连工艺中**Mn 自形成阻挡层**,在铜 / 低 k 介质界面生成锰硅酸盐阻挡层,抑制铜扩散,提升器件可靠性;MEMS 器件。
2. 磁存储、磁电子器件:磁性薄膜、自旋电子器件、多层膜结构的功能层。
3. 薄膜电池 / 储能:薄膜锂电池、微型超级电容器电极薄膜。
4. 装饰与功能涂层:金属多层膜、扩散阻挡层、粘结层。
5. 科研实验:各类磁学、光电、催化薄膜的基础研究。

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