科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
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| 钨钛合金靶材(W-Ti)椭圆形基本信息 | |
| 分子式 | W-Ti |
| 纯度 | 99.99% |
| CAS号 | 58397-70-9 |
| 摩尔质量 | 231.707 |
| 密度 | |
| 熔点 | |
| 沸点 | |
| 溶解性(水) | |
本靶材采用纳米级钨粉(≥99.995%)与氢化脱氢钛粉(≥99.98%)经 等离子旋转电极制粉(PREP)→ 热等静压扩散键合(HIP-DB)→ 磁控结构集成 工艺制备的 高端半导体与防护涂层核心材料。核心特性:
•梯度复合结构(钛含量 1-30at.%,层间扩散带 >8μm)
•纳米等轴晶组织(晶粒尺寸 0.5-5μm,孪晶密度 >10⁴/mm²)
•超低氧残留(O <50ppm,C <20ppm,N <30ppm)
•超高密度(相对密度 >99.95%,闭孔率 <0.03vol%)
在直流磁控溅射中实现 膜层电阻率<55μΩ·cm(Ti 10at.%时),结合力 >45MPa(硅基衬底)
核心价值源于W-Ti的能带/界面工程突破
➊ 半导体金属化革命
•铜扩散阻挡能垒 >5.0eV(较TaN提升 40%)
•台阶覆盖率 >95%(深宽比 50:1,3nm节点关键指标).
➋ 极端力学防护
·纳米硬度 >38GPa(膜厚 2um,HF1级附着力)
•耐热震性能 >1000次(AT=800℃℃,涂层无剥落)
➌ 智能热管理
•热膨胀系数匹配度 ΔCTE<3%(vs. SiC)
•溅射热阻 <10-5K·m2/W(高功率溅射稳定性保障)
| 钨钛合金靶材(W-Ti)椭圆形产品应用 |
主导应用场景与性能突破
1. 先进半导体制造
▸ 3nm以下节点铜互连阻挡层(漏电流 <10⁻⁸A/cm²@3MV/cm)
▸ X86 CPU籽晶层(电阻不均匀性 WIWNU<2%)
2. 超硬涂层领域
▸ 刀具类金刚石(DLC)过渡层(膜基结合力 >50N,切削寿命 ↑300%)
▸ 航天发动机抗烧蚀涂层(氧乙炔烧蚀率 <0.05mm/s)
3. 光学精密镀膜
▸ EUV光刻机掩模版吸收层(13.5nm吸收率 **>65%**)
▸ 红外窗口增透膜(3-5μm波段透过率 >99%)
4. 柔性电子系统
▸ 柔性OLED阳极(弯折10万次电阻变化 <3%)
▸ 可穿戴设备电磁屏蔽层(屏蔽效能 >80dB@10GHz)