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铬硅靶材（Cr14Si86wt%）

铬硅靶材（Cr14Si86wt%）
  • 铬硅靶材（Cr14Si86wt%）
铬硅靶材（Cr14Si86wt%）基本信息
分子式Cr14Si86wt%
纯度99.9%
CAS号无独立CAS号
摩尔质量29.04 g/mol
密度3.10~3.30 g/cm³
熔点1380~1430 ℃
沸点无统一沸点
溶解性（水）不溶于水；常温耐稀酸；可被氢氟酸、浓硝酸、热强碱腐蚀；空气中缓慢氧化生成 SiO₂钝化层

铬硅靶材（Cr14Si86wt%）产品概况

Cr14Si86 高硅铬硅溅射靶，原料采用高纯硅、高纯铬，制备工艺主要为粉末冶金热压 / 热等静压 HIP，也可真空熔炼；精加工后可钎焊绑定无氧铜背板。

  • 材料特点：高硅含量，薄膜偏向半导体特性，电阻率高；溅射后薄膜在有氧环境下易形成二氧化硅保护层，抗氧化性优异；靶材属于脆性多相材料，加工和使用避免冲击；

  • 质控要点：致密度、成分均匀性、低氧含量，减少溅射打火、颗粒缺陷；高硅靶需重点管控孔隙；

  • 形态：可定制圆片、方板、棒材、塞子靶；

  • 储存：常温干燥密封保存，防潮，避免磕碰碎裂。



铬硅靶材（Cr14Si86wt%）产品应用

薄膜应用：
1. 光学薄膜：红外 / 可见光波段吸收膜、衰减膜、遮光层；反应溅射制备 SiCrO、SiCrN 光学功能涂层
2. 半导体与 MEMS：高阻半导体薄膜、钝化保护层、抗反射薄膜；部分作为扩散阻挡层
3. 耐磨抗氧化防护涂层：高温器件防护膜，氧化后生成 SiO₂，隔绝氧气
4. 相变存储、光电器件：光电传感器、光探测器件的电阻 / 吸收薄膜
5. 科研镀膜：磁控溅射制备硅铬、硅铬氧化物、硅铬氮化物多层薄膜，材料相图研究

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