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钒镓合金靶材（V-Ga）

钒镓合金靶材（V-Ga）
  • 钒镓合金靶材（V-Ga）
钒镓合金靶材（V-Ga）基本信息
分子式V-Ga
纯度99.9%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

钒镓合金靶材（V-Ga）产品概况

        钒镓合金靶材是以超高纯钒（≥99.99%） 与镓（≥99.999%） 为原料，通过真空感应熔炼（VIM）+ 热等静压（HIP）扩散合成工艺制备的 A15型超导相（V₃Ga）主导 的合金溅射靶材。该靶材具备：

  • 超晶格结构精准控制（A15相占比≥95%，晶格常数 4.98Å）

  • 极致成分均匀性（V:Ga = 75:25 at% ±0.3%）

  • 高密度低缺陷（相对密度＞98.5%，宏观颗粒≤5个/靶面）

  • 低温脆性破解（韧性断裂延伸率＞8% @77K）

核心价值源于 A15 超导相薄膜的极端电磁特性：
➊ 超高临界场强（Hc₂）：
・4.2K下达 23.5 T（超越 Nb₃Sn 的 21T），为强场磁体小型化提供基础
・临界电流密度 Jc＞5×10⁵ A/cm²（4.2K, 10T）
➋ 低场高灵敏特性：
・转变温度 Tc≈14.7K，液氦温区磁通钉扎力强 → 极弱磁场（μT级）精准探测
➌ 优异工艺兼容性：
・溅射成膜应力 ＜500 MPa → 避免超薄（＜100nm）薄膜开裂


钒镓合金靶材（V-Ga）产品应用

主导应用锁定下一代量子科技与强场装置：​​​
​◉ 量子计算核心电路：​​
・超导量子比特（Qubit）谐振腔薄膜层​：在蓝宝石衬底沉积V₃Ga，实现 ​Q＞1×10⁶​（4K）的超低损耗微波腔
・磁通量子器件（Fluxonium）电极​：替代Al/Nb，提升量子位相干时间至 ​**＞300 μs​
​◉ 聚变能装置磁体：​​
・紧凑型托卡马克线圈导体​：铜基带表面溅射V₃Ga/Cu多层膜，载流能力 ​＞2kA/mm²（12T, 4.2K）​​
◉ ​前沿科学探测：​​
・深空磁场传感器薄膜层​：在柔性聚酰亚胺衬底制备微米级V₃Ga条带，探测灵敏度 ​0.1 nT/√Hz**​
・中子散射谱仪超导腔​：支撑30T级超导磁体稳定运行

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