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钴锰硅靶材（Co-Mn-Si）

钴锰硅靶材（Co-Mn-Si）
  • 钴锰硅靶材（Co-Mn-Si）
钴锰硅靶材（Co-Mn-Si）基本信息
分子式Co-Mn-Si
纯度99.5%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

钴锰硅靶材（Co-Mn-Si）产品概况

        钴锰硅合金（Co-Mn-Si）靶材采用超高纯度钴（≥99.995%）、电解锰（≥99.98%）、区域熔炼硅（≥99.999%）为原料，通过真空悬浮熔炼+等离子烧结（SPS）制备的Heusler型功能溅射靶材。核心特性包括：

•精密化学计量比（Co₂MnSi 近化学配比，Mn:Si=1:1±0.5at.%）

•L2₁有序超晶格结构（长程有序度＞90%）

•超低磁损耗（铁磁共振线宽ΔH＜10 Oe）

•理论密度＞99.0%（晶界氧＜100ppm）
    在超高真空磁控溅射（UHV-Sputtering）中实现隧道磁阻（TMR）比率＞300%，薄膜原子有序度保持率＞85%。

核心价值源于半金属能带与自旋极化的量子效应

➊ 超高自旋极化率

•费米能级自旋极化率**>95%(理论极限值)

•隧道磁阻(TMR)室温值>250%**(4.2K低温下达500%)

➋ 可控磁相变响应

·居里温度 Tc≈985K(适用高温自旋器件)

•交换偏置场 **>500 0e**(界面工程调控)

➌ 多场耦合功能响应

•磁热效应 -AS=10.2 J/kg·K(1.5T磁场变化)

•反常霍尔角 **>3%**(自旋轨道矩器件核心指标)


钴锰硅靶材（Co-Mn-Si）产品应用

主导应用聚焦下一代自旋电子学与量子技术​
◉ ​超高密度磁存储器​
▸ 磁性隧道结（MTJ）自旋极化层（存储密度 ​**＞5 Tb/in²**）
▸ 赛道存储器（Racetrack）畴壁驱动层（能耗 ​​＜10 fJ/bit）
◉ ​量子计算核心组件​
▸ 拓扑量子比特磁屏蔽层（退相干时间 ​**＞100 μs**）
▸ 超导-自旋混合器件电极层（临界电流密度 ​**＞10⁶ A/cm²**）
◉ ​高效固态制冷系统​
▸ 磁制冷工质薄膜（制冷温差 ​ΔTₐᴅ＞4K，零温室效应）
▸ 微型热电转换器功能层（ZT值 ​**＞0.8**）
◉ ​高频磁传感器​
▸ 太赫兹自旋泵浦探测层（响应频率 ​**＞3 THz**）
▸ 生物磁成像传感膜（灵敏度 ​​＜1 pT/√Hz）

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