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铝铜合金靶材(Al-Cu)

铝铜合金靶材(Al-Cu)
  • 铝铜合金靶材(Al-Cu)
铝铜合金靶材(Al-Cu)基本信息
分子式Al-Cu
纯度99.99%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

铝铜合金靶材(Al-Cu)产品概况

          铝铜合金（Cu 0.5-5.0at.%）靶材采用超高纯铝锭（≥99.999%）与无氧铜（≥99.995%）为原料，通过真空电弧熔炼+精密热轧工艺制备的微电子互连专用溅射靶材。核心特性包括：

•微观组织优化（θ-Al₂Cu相尺寸20-50nm，分布均匀度＞95%）

•极限杂质控制（Fe<0.1ppm, Si<0.2ppm, O<15ppm）

•晶向工程（（111）面织构度＞90%）

•理论密度＞99.98%（孔隙率<0.005%）
•在超高真空磁控溅射中实现薄膜电阻率2.8-3.5μΩ·cm，深宽比10：1通孔填充率**＞99.9%**。

核心价值源于纳米0相强化与界面调控

➊ 亚微米互连可靠性突破

•电迁移闽值 **>5x10'A/cm?(比纯铝提升50倍，满足2nm制程需求)

•应力迁移寿命 >1000h@150°C/100MPa**(芯片寿命倍增器)

➋ 超精细图形化能力.

•线宽缩微极限 ≤15nm(适配GAA晶体管

•阶梯覆盖率 **>98%**(深宽比15:1结构)

➌ 高效热管理特性

•热导率 **>220W/m·K(功率芯片散热核心)

•热膨胀系数匹配硅衬底(CTE=4.5±0.1)x10-'/K**


铝铜合金靶材(Al-Cu)产品应用

主导应用覆盖先进半导体制造​
◉ ​前沿逻辑芯片​
▸ GAA晶体管铜互连阻挡层（厚度≤2nm，接触电阻 ​​＜5×10⁻¹⁰Ω·cm²）
▸ 3nm以下技术节点再布线层（RDL）
◉ ​高密度存储芯片​
▸ 3D NAND堆叠结构垂直互联（层数＞500层，电阻非均匀性 ​​＜1.5%​）
▸ DRAM电容下电极黏附层（漏电流 ​​＜10⁻⁹A/cm²@1V）
◉ ​先进封装系统​
▸ 2.5D/3D硅中介层热扩散膜（热阻 ​​＜0.15℃·cm²/W）
▸ 铜柱凸块（Cu Pillar）界面强化层（剪切强度 ​**＞80MPa**）
◉ ​功率电子模块​
▸ IGBT铜键合层替代方案（疲劳寿命 ​**＞5×10⁶次**）
▸ 碳化硅模块铜金属化层（结合力 ​**＞50MPa@600℃​**）

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