铽钴合金靶材（Tb-Co）产品概况

        铽钴合金 (Tb-Co) 靶材是一种以高纯度金属铽 (Tb) 和钴 (Co) 为原料，通过真空感应熔炼+精密均匀化退火或粉末冶金（热等静压 HIP）工艺制备的高性能亚铁磁性功能合金溅射靶材。该靶材具备精确调控的化学组分（以TbCo₂、TbCo₅ 为主，可选非晶/纳米晶结构）、原子级成分均匀性、近理论密度致密化（>99%）及优化的磁晶取向。这些特性确保其在磁控溅射（DC、RF）、脉冲激光沉积（PLD）等工艺中沉积出超高垂直磁各向异性、强磁光效应、巨磁致伸缩响应的功能薄膜。

核心价值源于 Tb-Co 合金的强磁晶耦合与亚铁磁序：

➊ 超高垂直磁各向异性 (PMA)：
Tb 的强自旋轨道耦合赋予薄膜 100-500 kJ/m³ 的超高单轴磁各向异性，实现信息存储的纳米畴稳定（<10 nm）。

➋ 强磁光克尔效应：
在可见-近红外波长（500-800 nm）产生 **>0.3° 的巨极向克尔转角**，是磁光记录的物理基础。

➌ 巨磁致伸缩效应 (MS)：
TbCo₂ 薄膜具备 **>500 ppm 的饱和磁致伸缩系数（λ_s）**，实现磁场-形变高效转换。

➍ 高居里温度（可调）：
Co 占比提升可调控居里温度至 400 K 以上，满足室温应用需求。

➎ 亚铁磁序净磁矩可调：
Tb/Co 比例精确控制净磁矩（~0.1-1.0 μB/原子），适配不同器件灵敏度需求。

​◉ 超高密度磁存储技术：​​
​磁记录介质层：​​ 作为热辅助磁记录（HAMR）盘片的核心磁性层，与 FePt 等合金耦合，突破 2 Tb/in² 存储密度极限。
​垂直磁隧道结（p-MTJ）钉扎层/参考层：​​ 提供超高各向异性场（H_k），提升自旋阀热稳定性（Δ>60）。
​◉ 磁光信息存储与成像：​​
​可擦写磁光盘（MO）记录层：​​ 实现克尔效应直接写入/读取，应用于高安全性数据存档。
​磁光显微镜校准膜层：​​ 提供标准磁畴对比度。
​◉ 磁致伸缩微型致动器：​​
​MEMS 微泵/微阀磁驱动膜：​​ 沉积 TbCo₂ 薄膜于硅基悬臂梁，实现微牛级精密位移输出（响应频率 >1 kHz）。
​精密光学调焦致动层：​​ 应用于太空望远镜变形镜面。
​◉ 自旋电子学与量子器件：​​
​自旋轨道转矩（SOT）电极层：​​ 利用 Tb 强自旋轨道矩高效翻转邻近磁矩。
​拓扑磁结构（斯格明子）载体层：​​ 低温相中稳定磁性斯格明子晶格。
​磁阻抗传感器敏感层：​​ 利用非晶 Tb-Co 薄膜的巨磁阻抗效应（GMI）。