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铜铋合金靶材(Cu-Bi)

铜铋合金靶材(Cu-Bi)
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铜铋合金靶材(Cu-Bi)essential information
Molecular formulaCu-Bi
purity99.99%
CAS No
Molar mass
density
melting point
boiling point
Solubility (water)

铜铋合金靶材(Cu-Bi)Product overview

        铜铋合金靶材采用氧无感铜粉(≥99.999%)与区域熔炼铋锭(≥99.995%),通过真空热压+液固双相烧结工艺制备的双功能纳米偏析靶材。核心特性包括:

可控非平衡结构(Bi 10-45wt.%梯度可控,纳米铋相尺寸 50-200nm)

原子级互斥界面(Cu/Bi界面能 ≤150mJ/m²,接触角 θ>120°)

超低氧陷阱(O<50ppm,C<30ppm,生物毒害元素总量<1ppm)

智能相分离(低温流动性激活温度 ≤110℃)
在低温溅射中实现膜层电阻率≤3.5μΩ·cm,真空密封漏率<10⁻¹¹ Pa·m³/s,攻克高温焊料与真空器件的兼容瓶颈。

核心价值源于液固双相协同机制

➊ 电-密封一体化

·低温自流平特性(130°C流平时间 <10s,实现纳米级缝隙填充)

·真空级致密化(气孔缺陷尺寸<5nm,氦气检漏零渗透)

➋ 极端界面防护

·电化学迁移抑制(85°C/85%RH条件下迁移距离<5um/1000h)

·金属间化合物阻断(CuBi,相生成厚度 <10nm)

➌ 智能功能性

·温度熔断响应(相变电阻突变率 **>500%**)

·抑菌活性(对大肠杆菌杀灭率 **≥99.9%@24h**)


铜铋合金靶材(Cu-Bi)Product application

◉ ​真空互联装备​
▸ 量子芯片超导引线封装(热循环 ​1000次电阻波动 ​​<0.2%​)
▸ 高能粒子探测器密封环(抗辐照 ​**>10¹⁶ nₑq/cm²**)
◉ ​植入式医疗器械​
▸ 神经电极阵列界面层(电刺激阻抗 ​​≤10Ω@1kHz)
▸ 可降解血管封堵器(降解周期 ​12±1周)
◉ ​热管理系统​
▸ 芯片相变热界面材料(热阻 ​​<0.02K·cm²/W)
▸ 聚变堆第一壁冷却通道(耐高温热冲击 ​**>10⁴次**)
◉ ​安全保护器件​
▸ 5G基站过载熔断膜(响应时间 ​​≤3ms)
▸ 核电控制系统保险层(动作温度精度 ​​±1.5℃​)

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