科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
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| 银硅靶材(Ag-Si)基本信息 | |
| 分子式 | Ag-Si |
| 纯度 | 99.9% |
| CAS号 | |
| 摩尔质量 | |
| 密度 | |
| 熔点 | |
| 沸点 | |
| 溶解性(水) | |
Ag-Si靶材采用区域悬浮超纯硅(≥99.99999%)及电子束精炼银(≥99.999%),通过超急速共晶定向凝固(10⁷ K/s)工艺制备的量子互连/等离激元双功能靶材。核心特性包括:
纳米共晶复合结构(Ag₂Si相尺寸 8-25nm,层间距 30±3nm)
超低互连电阻(界面电阻 ≤1.5×10⁻¹⁰ Ω·cm²,电流承载力 **>10⁸ A/cm²**)
可控等离激元响应(局域场增强因子 **>10⁵**,共振波长 400-1600nm可调)
自旋极化输运(自旋注入效率 **≥75%**,自旋扩散长度 **>150nm**)
在磁控溅射中实现量子芯片互连线延时≤0.1ps/mm,表面增强拉曼(SERS)检测极限达单分子级,突破后摩尔时代电互连瓶颈-光学衍射极限。
核心价值源于光-电-自旋协同
➊ 量子互连革命
·超低传输损耗(微波衰减 <0.05dB/mm@100GHz)
·超高带宽密度(布线密度**>5Tbps/mm?**)
➋ 光子芯片增强
·片上激光发射(Purcell因子**>200**,阈值电流 <1μA)
·亚波长光操控:(波导传输损耗 <0.1dB/um)
➌ 极端集成特性
·亚原子级界面(银硅互扩散深度<0.3nm)
·300°C热稳定性(硅迁移抑制率 **>99%**
| 银硅靶材(Ag-Si)产品应用 |
◉ 量子芯片制造
▸ 超导量子比特耦合层(品质因数 Q>10⁶)
▸ 自旋量子比特电极(退相干时间 T₂*≥150μs)
◉ 光子集成电路
▸ 硅光调制器等离子接触层(带宽 **>200GHz**)
▸ 拓扑光子波导(单向传输效率 **>99.9%**)
◉ 超灵敏检测
▸ 病毒SERS检测芯片(检测限 10⁻²⁰ M)
▸ 单分子蛋白质测序基底(信噪比 **>50dB**)
◉ 神经形态器件
▸ 光突触权重层(脉冲能耗 <0.1fJ/spike)
▸ 脑机接口电极(阻抗 <1kΩ@1kHz)