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锗硅靶材（Ge-Si）

锗硅靶材（Ge-Si）
  • 锗硅靶材（Ge-Si）
锗硅靶材（Ge-Si）基本信息
分子式Ge-Si
纯度99.999%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

锗硅靶材（Ge-Si）产品概况

        Ge-Si靶材采用区域悬浮提纯单晶锗（≥99.9999%）及超高纯硅（≥99.99999%），通过分子束外延-低温烧结（MBE-LTS）工艺制备的能带工程/红外光子双功能靶材。核心特性包括：

•梯度超晶格结构（Ge/Si周期厚度 2-8nm，界面粗糙度 ≤0.3nm）

•宽域能带调控（带隙 0.66-1.12eV 连续可调，对应截止波长 1.1-1.9μm）

•红外光子操纵（3-5μm波段透过率 **＞85%**，消光比 **＞40dB**）

•量子限制效应（载流子迁移率 **≥15,000 cm²/V·s**，谷间散射抑制 **＞90%**）
    在磁控溅射中实现CMOS兼容红外焦平面暗电流≤10⁻⁸ A/cm²，硅基光电器件量子效率**＞95%@1550nm**，突破传统半导体的能隙局限-波长不可调瓶颈。

核心价值源于应变能带工程

➊ 红外探测革新

超高响应度(2um波段 1.5A/W @300K)·低噪声等效功率(NEP ≤3x10-15 W/Hz'/2)

➋ 硅光集成突破

·高效电光调制(VπL <0.5 V·cm @25Gbps)·非线性增强(y **>300 W1.m-1**)

➌ 极端集成特性

原子级界面控制(位错密度<10’cm-2)

抗辐照性能(100krad(si)下漏电流增幅<5%)


锗硅靶材（Ge-Si）产品应用

◉ 硅基光子集成​
▸ 光通信收发芯片（数据传输 ​**>400Gbps**）
▸ 激光雷达探测器阵列（测距精度 ​​<1mm）
◉ ​短波红外成像​
▸ 手机夜视功能层（940nm量子效率 ​**>90%​**）
▸ 自动驾驶SWIR相机（识别距离 ​**>300m**）
◉ ​量子信息器件​
▸ 单光子探测器吸收层（探测效率 ​**>40%@1550nm**）
▸ 量子点激光器增益区（线宽 ​​<100kHz）
◉ ​太空红外载荷​
▸ 深空矿物光谱仪（1.4-1.9μm分辨率 ​​<10nm）
▸ 预警卫星传感器（探测灵敏度 ​18级星等）

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