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锡银铜合金靶材（Sn-Ag-Cu）

锡银铜合金靶材（Sn-Ag-Cu）
  • 锡银铜合金靶材（Sn-Ag-Cu）
锡银铜合金靶材（Sn-Ag-Cu）基本信息
分子式Sn-Ag-Cu
纯度99.99%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

锡银铜合金靶材（Sn-Ag-Cu）产品概况

        本靶材采用电子级锡（≥99.995%）、超细银粉（≥99.99%）、无氧铜（≥99.98%）经 真空感应熔炼+气雾化制粉+热等静压（HIP） 工艺制备的 微电子封装核心薄膜材料。核心特性：

•共晶组分精确控制（SnAgCu=96.5/3.0/0.5，公差±0.2at.%）

•纳米级枝晶抑制（β-Sn相尺寸 ＜5μm，Ag₃Sn/ Cu₆Sn₅强化相均匀弥散）

•超低杂质水平（O＜30ppm，S/Cl＜5ppm）

•相对密度＞99.3%（气孔率 ＜0.05vol%）
    在直流磁控溅射中实现 膜层焊接强度提升40%，电迁移寿命 **＞10⁶h@100℃**。

核心价值源于低共晶体系的可靠性革命

➊ 极致封装性能

·抗剪强度**>45MPa(较传统SnPb钎料提升300%)

·电迁移激活能 >1.2eV(电流承载能力 >3x104A/cm2x*)

➋ 低温沉积优势

·150℃C成膜实现 99%IMC覆盖率(CusSn,层连续致密

·热循环寿命 **>5,000次**(-55~125°℃工况)

➌ 绿色制造兼容

·离子污染水平 <0.1μg/cm'Na(满足JEDECJ-STD-002B)

·无铅化认证(ROHS 2.0/REACH SVHC豁免)


锡银铜合金靶材（Sn-Ag-Cu）产品应用

◉ 先进封装互联​
▸ 3D IC硅通孔（TSV）阻障层（漏电流 ​​＜10⁻⁸A/cm²@5MV/cm）
▸ 晶圆级封装（WLP）UBM层（厚度 ​0.5μm即阻隔Cu扩散）
◉ 功率电子模块​
▸ IGBT芯片焊接层（热阻 ​​＜0.15K·mm²/W）
▸ 汽车电子QFN侧壁金属化（气密性 ​**＞5×10⁻⁸Pa·m³/s**）
◉ 柔性电子制造​
▸ 可拉伸电路键合层（延展率 ​**＞200%​​ 电阻变化＜5%）
▸ 医疗电子生物兼容镀层（ cytotoxicity ​0级**​ / ISO 10993）
◉ 高可靠军工电子​
▸ 宇航级抗辐照焊盘（单粒子效应阈值 ​**＞80MeV·cm²/mg**）
▸ 深海装备耐蚀互连（盐雾测试 ​**＞1,000h**）

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