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锰三锗靶材（Mn3Ge）

锰三锗靶材（Mn3Ge）
  • 锰三锗靶材（Mn3Ge）
锰三锗靶材（Mn3Ge）基本信息
分子式Mn3Ge
纯度99.9%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

锰三锗靶材（Mn3Ge）产品概况

        锰三锗合金（Mn₃Ge）靶材采用核纯级锰（≥99.99%）与区域提纯锗（≥99.999%）为原料，通过真空悬浮区熔+定向凝固工艺制备的反铁磁拓扑功能溅射靶材。核心特性包括：

•原子级化学计量控制（Mn:Ge=3:1±0.15at.%）

•D0₁₉超晶格有序结构（长程有序度＞97%）

•超低载流子散射（室温电阻率 <80μΩ·cm)

•极限本征缺陷控制（空位浓度 <10¹⁶/cm³，晶界氧 <20ppm)

•理论密度＞99.3%（闭孔率<0.05%）
•在低温溅射（≤150℃）中实现薄膜室温反常霍尔角＞0.25，自旋极化率**>90%**。

核心价值源于强自旋轨道耦合与反铁磁序协同

➊ 零场量子效应增强

·室温反常霍尔角 **>0.25(比Mn;Sn提升60%，打破铁磁材料理论极限)

·内禀自旋霍尔角 0:n>0.6**(自旋流转换效率提升200%)

➋ 多场高效调控接口

·电场诱导磁相变阈值 <0.5MV/cm(能耗<5fJ/次)

·应力-自旋转换效率 dM/de>2x10’emu/cm’.%(应变传感器核心指标)

➌ 极端环境鲁棒性

·抗y辐照(500kGy后磁序稳定性 **>99%**)

·工作温区 4K-550K(覆盖深空探测全场景)


锰三锗靶材（Mn3Ge）产品应用

◉ ​航天级抗辐射存储器​
▸ 卫星抗单粒子翻转（SEU）内存电极（软错误率 ​​<10⁻¹² error/bit·day)
▸ 深空探测器自旋轨道矩存储层（耐总剂量 ​**>1MGy**)
◉ ​量子计算核心组件​
▸ 拓扑量子比特衬底磁环境调控层（退相干时间 ​**>500μs**)
▸ 马约拉纳费米子载体材料（拓扑保护能隙 ​**>0.15meV**)
◉ ​高灵敏传感器系统​
▸ 深地磁场传感器敏感层（灵敏度 ​​<0.1nT/√Hz)
▸ 微重力应变传感膜（分辨率 ​​<10⁻⁹ ε)
◉ ​神经形态计算硬件​
▸ 3D堆叠脉冲神经网络权重层（电导线性度 ​**>99.5%​**)
▸ 光-自旋融合处理器接口层（响应速度 ​​<1ps)

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