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产品中心
PRODUCTS
钴铁硼靶材（Co-Fe-B）
| 钴铁硼靶材（Co-Fe-B）基本信息 | |
| 分子式 | CoFeB |
| 纯度 | 99.9% |
| CAS号 | 无独立 CAS 号 |
| 摩尔质量 | 随组分变化 |
| 密度 | 约 8.7～8.9 g/cm³ |
| 熔点 | 约 1230～1280 ℃（随成分波动，无单一熔点） |
| 沸点 | 无固定沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水；可被稀硝酸、强酸腐蚀；常温空气中缓慢氧化 |
钴铁硼靶材（Co-Fe-B）产品概况
钴铁硼 CoFeB 为银灰色金属合金靶，溅射沉积后易形成非晶软磁薄膜，是自旋电子领域核心磁性材料。硼元素的加入可抑制晶化，降低矫顽力，薄膜具有高饱和磁化强度、高隧穿磁阻 TMR，易于获得垂直磁各向异性（PMA）。 制备工艺：高纯 Co、Fe、B 原料真空熔炼制锭或合金粉末，热等静压 HIP 成型，精密机加工抛光后绑定铜背板。
⚠️ 关键要点：靶材易氧化，存储建议真空封装；镀膜时控制基底退火工艺，获得高质量非晶 CoFeB 薄膜；成分均匀性是核心指标，直接影响 MRAM 器件良率。
适用工艺：磁控溅射，用于制备磁性隧道结 MTJ 多层膜。
| 钴铁硼靶材（Co-Fe-B）产品应用 |
薄膜应用：
1. MRAM 磁阻存储器：磁性隧道结 MTJ 的自由层、参考层，新一代非易失存储芯片，是 CoFeB 最核心应用。
2. 自旋电子器件：自旋转移力矩器件、自旋逻辑器件、垂直磁各向异性多层膜。
3. 高灵敏度磁传感器：TMR 隧道磁阻传感器、磁场探头、硬盘读写磁头。
4. 射频微波器件：片上射频电感、微波软磁薄膜、电磁屏蔽层，高频低损耗。
5. 基础科研：自旋输运、磁性异质结、磁光薄膜等前沿磁性薄膜研究。
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