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锰三锡靶材（Mn3Sn）

锰三锡靶材（Mn3Sn）
  • 锰三锡靶材（Mn3Sn）
锰三锡靶材（Mn3Sn）基本信息
分子式Mn3Sn
纯度99.9%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

锰三锡靶材（Mn3Sn）产品概况

        锰三锡合金（Mn₃Sn）靶材采用超高纯锰（≥99.995%）与区域熔炼锡（≥99.999%）为原料，通过真空感应熔炼+热等静压（HIP）工艺制备的拓扑磁电子功能溅射靶材。核心特性包括：

•精准化学计量比（Mn:Sn=3:1±0.2at.%）

•D0₁₉有序晶体结构（长程有序度＞95%）

•超低磁损耗（矫顽力Hc＜5 Oe）

•极限杂质控制（O＜50ppm, C＜20ppm, Fe＜1ppm）

•理论密度＞99.0%（闭孔率＜0.1%）
•在低温磁控溅射（≤200℃）中实现薄膜反常霍尔电导率＞650 S/cm，自旋极化率**＞85%**（室温）。

核心价值源于拓扑磁结构与反铁磁序协同

➊ 零场量子输运特性

·室温反常霍尔角 **>0.15(零磁场下实现，超越铁磁材料极限)

·自旋轨道矩效率 >0.5(电流驱动磁化翻转能耗 <10 f/bit**)

➋ 多铁性耦合响应

·磁电耦合系数 α=180 ps/m(电场调控磁矩效率提升300%)

·压磁系数 d入dP>5x10-°m/A(应力-自旋高效转换)

➌ 极端环境稳定性

·抗辐照性能(100kGy y射线后磁序稳定性>98%)

·耐湿热特性(85°C/85%RH 1000小时电导率衰减<2%)


锰三锡靶材（Mn3Sn）产品应用

非线性反铁磁Mn3Sn多晶薄膜显著表现出反常霍尔效应（AHE）、反常能斯特效应（ANE）等众多优异的物理性能,成为下一代室温自旋电子器件的重要候选材料。
◉ ​超高密度磁存储器​
▸ 反铁磁自旋轨道矩存储器（SOT-MRAM）电极层（写入速度 ​​＜0.1ns）
▸ 赛道存储器（Racetrack）畴壁驱动层（能耗 ​​＜1 fJ/bit）
◉ ​神经形态计算芯片​
▸ 人工突触权重层（电导调控线性度 ​**＞99%​**）
▸ 磁神经元激活函数层（响应频率 ​**＞10GHz**）
◉ ​量子信息器件​
▸ 拓扑量子比特磁噪声屏蔽层（退相干时间 ​**＞300μs**）
▸ 马约拉纳零能模衬底界面（拓扑保护能隙 ​**＞0.1meV**）
◉ ​高频通信系统​
▸ 太赫兹自旋波调制器（工作频段 ​0.1-3THz）
▸ 6G可重构智能表面（RIS）移相单元

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