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氮化铝靶材（AlN）

氮化铝靶材（AlN）
  • 氮化铝靶材（AlN）
氮化铝靶材（AlN）基本信息
分子式AlN
纯度99.9%
CAS号24304-00-5
摩尔质量40.99 g/mol
密度3.26 g/cm³
熔点2200 ℃
沸点常压下**2000 ℃左右升华分解**，不沸腾
溶解性（水）不溶于水；粉体在潮湿环境会缓慢水解；可被浓无机酸缓慢腐蚀

氮化铝靶材（AlN）产品概况

氮化铝（AlN，纤锌矿结构）高纯陶瓷溅射靶，灰白色 / 浅蓝白色致密陶瓷；兼具高绝缘、超高热导率、压电特性、宽禁带，化学稳定性好。 由高纯 AlN 粉体经冷等静压、热压 / 热等静压高温烧结、精密机加工制成；脆性大，一般绑定铜背靶增强散热、防止开裂；对致密度、晶粒均匀性、氧杂质控制要求极高，氧杂质会严重劣化压电性能。多用于射频溅射制备 c 轴择优取向 AlN 压电薄膜。

氮化铝靶材（AlN）产品应用

薄膜应用：
1. SAW / BAW 声表面波、体声波滤波器（最核心应用）：5G 射频滤波器压电薄膜，高频通信芯片，是 AlN 靶最大市场
2. MEMS 微机电器件：压电传感器、微超声换能器、压电微镜
3. 半导体：高功率器件绝缘介质层、散热过渡层、钝化层、深紫外光电器件外延缓冲层
4. 光学与显示：光学介质膜、OLED、Micro-LED 绝缘保护层
5. 散热功能薄膜：高导热绝缘涂层，功率器件、激光器热管理膜层

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