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氮化铝钪靶材(AlScN)

氮化铝钪靶材(AlScN)
  • 氮化铝钪靶材(AlScN)
氮化铝钪靶材(AlScN)基本信息
分子式AlScN
纯度99.5%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性(水)

氮化铝钪靶材(AlScN)产品概况

        氮化钪铝靶材采用航空级铝(≥99.999%)与核纯级钪(≥99.99%)为原料,通过 等离子旋转电极雾化+热等静压(HIP) 工艺制备的压电增强型溅射靶材。核心特性包括:

•精确掺杂控制(Sc 10-45at.% 连续可调)

亚微米柱状晶结构(晶粒尺寸 0.3-1.2μm)

超高密度>99.5%(孔隙率<0.05%)

超低金属杂质(Fe<5ppm,Cr<2ppm)
在射频磁控溅射中实现 压电系数d₃₃>25pm/V,

核心价值源于钪掺杂的压电相变效应

➊ 卓越压电性能

·压电常数 d;;=15-28pm/(Sc含量调控,较纯AIN提升500%)

·介电损耗 tan8<0.003(x波段品质因数Q>1500)

➋ 低应力高稳定性

·膜内应力 <200MPa(突破AIN薄膜开裂瓶颈)

·退火稳定性 **>650°C**(兼容CMOS后道工艺

➌ 多重功能协同

·铁电/压电双模式切换(Sc>25at.%时自发极化)

·声表面波速率 **>5600m/s**(高频滤波器关键指标)



氮化铝钪靶材(AlScN)产品应用

主导应用覆盖5G通信与先进传感器​
◉ ​​高频射频滤波器​
▸ 5G n79频段BAW滤波器(频带 ​3.3-4.9GHz,带宽提升 ​300%​)
▸ 毫米波AiP天线耦合层(插入损耗 ​​<1.2dB)
◉ ​智能传感系统​
▸ MEMS超声换能器发射层(分辨率 ​​<50μm,医疗影像用)
▸ 高精度PMUT阵列(检测极限 ​10MPa)
◉ ​存储与逻辑器件​
▸ 铁电存储器(FeRAM)栅极层(剩磁极化 ​**>15μC/cm²**)
▸ 负电容晶体管沟道层(亚阈值摆幅 ​​<60mV/dec)
◉ ​量子技术载体​
▸ 声子量子比特芯片压电层(相干时间 ​**>200μs**)
▸ 氮空位色心应力调控膜(光谱稳定性 ​​<0.05nm)

产品需求

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