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产品中心
PRODUCTS
氮化钽靶材（TaN）
| 氮化钽靶材（TaN）基本信息 | |
| 分子式 | TaN |
| 纯度 | 99.5% |
| CAS号 | 12033-62-4 |
| 摩尔质量 | 194.95 g/mol |
| 密度 | 14.3 g/cm³ |
| 熔点 | 3090 ℃ |
| 沸点 | 无固定沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水、稀酸；微溶于王水；可与熔融强碱反应 |
氮化钽靶材（TaN）产品概况
氮化钽靶材为灰黑色至黑色致密陶瓷靶，六方晶系，高硬度、热稳定性优异、抗铜扩散能力强；可采用热压、SPS 烧结制备，可加工圆靶、方靶、台阶靶，支持背铜绑定；Ta-N 体系物相复杂，Ta₂N 低阻适合薄膜电阻，TaN 适合扩散阻挡层；高温有氧环境易氧化，溅射一般控制低氧气氛。
| 氮化钽靶材（TaN）产品应用 |
薄膜应用：
1. 集成电路芯片：铜互连工艺扩散阻挡层（最核心用途，阻挡 Cu 向硅 / 介质层扩散）
2. 薄膜电阻器：高精度、低温度系数薄膜电阻
3. 半导体器件、MOS、存储器件栅电极、粘附层
4. 耐磨硬质涂层、刀具防护涂层
5. 超导薄膜、磁记录多层膜、扩散阻挡薄膜
6. 光学、微电子、传感器功能薄膜
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