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产品中心
PRODUCTS
铌掺杂氧化铟锡靶材（Nb-ITO）
| 铌掺杂氧化铟锡靶材（Nb-ITO）基本信息 | |
| 分子式 | Nb-ITO |
| 纯度 | 99.9% |
| CAS号 | 无独立 CAS 号 |
| 摩尔质量 | 无固定摩尔质量 |
| 密度 | 7.14 g/cm³ |
| 熔点 | 约 1910 ℃；高温下氧化铟易挥发 |
| 沸点 | 无固定沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水；耐稀酸稀碱；可被浓强酸缓慢腐蚀 |
铌掺杂氧化铟锡靶材（Nb-ITO）产品概况
铌掺杂氧化铟锡（Nb:ITO），灰黑色 / 蓝黑色多晶陶瓷靶材，在传统 ITO 晶格中引入 Nb⁵⁺掺杂改性。 Nb 掺杂可调控载流子浓度、提高载流子迁移率，降低薄膜电阻率，提升近红外透光性能，同时增强薄膜热稳定性，退火后电阻漂移更小。 制备工艺：高纯氧化铟、氧化锡、五氧化二铌粉体配料，固相混合煅烧→成型→高温常压烧结；靶材脆性较大，加工搬运防崩边。 适用工艺：磁控溅射、PLD；溅射一般采用 DC，可通入微量氧气优化薄膜光电性能；干燥常温保存即可，不易吸潮。
| 铌掺杂氧化铟锡靶材（Nb-ITO）产品应用 |
薄膜应用：
1. 钙钛矿太阳能电池：透明导电电极，近红外高透，提升电池光电转换效率，减少高温退火电阻劣化。
2. OLED、LCD 平板显示：高稳定透明导电薄膜，像素电极、触控屏导电层。
3. 红外光学器件：红外窗口、红外探测器透明导电层，相比普通 ITO，近红外透过更优。
4. 光电传感器、光电二极管：高迁移率透明电极。
5. 柔性光电器件：柔性基底透明导电膜，提升弯折稳定性。
6. 科研实验：TCO 透明导电氧化物薄膜、异质结、光电器件基础研究。
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