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钒硫靶材(V-S)

钒硫靶材(V-S)
  • 钒硫靶材(V-S)
钒硫靶材(V-S)基本信息
分子式V-S
纯度99.9%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

钒硫靶材(V-S)产品概况

        钒硫靶材是以超高纯钒（≥99.99%）与单质硫（≥99.999%）为原料，通过机械合金化（MA）+ 等离子活化烧结（PAS）工艺制备的 多相复合硫化物靶材（VS₂主导相含量≥85%）。具备以下核心特性：

• 成分精准可控（S/V比可调范围1.8~2.2，化学计量偏差<±0.05）

• 层状结构定向排布（c轴取向度＞80%，层间距0.57nm±0.01nm）

• 纳米级相纯度（金属性1T-VS₂占比≥90%，无V₂O₃杂相）

• 高压实密度（＞92%理论密度，轴向抗压强度＞200MPa）

核心价值源于二维钒硫属的强电子关联效应：
➊ 可调电荷密度波（CDW）特性：
・薄膜CDW转变温度在 220K~350K范围可编程设计（通过S空位浓度控制）
・相变电阻突变比 **＞10⁴（量子开关核心指标）
➋ 超离子输运特性：
・锂离子扩散系数 10⁻⁸ cm²/s（高于石墨烯10倍）→ 固态电池超快通道层
・质子传导激活能 ＜0.15 eV（燃料电池高效电解质膜）
➌ 量子传感响应：
・自旋极化电流率 ＞60%（磁性传感器敏感层）
・热释电系数 ≥4.5 μC/m²K**（红外探测优值超越TGS单晶）


钒硫靶材(V-S)产品应用

主导应用锁定下一代电子与能源革命：​​
◉ ​超快量子器件：​​
・相变神经突触晶体管​：在Al₂O₃栅介质上沉积2nm VS₂沟道，实现 ​10 ps级电导突变​（人脑突触速度的10⁶倍）
・太赫兹调制器谐振层​：CDW态切换响应频率 ​**＞2 THz​
​◉ 新型储能界面工程：​​
・固态锂电池负极包覆层​：1nm VS₂膜抑制锂枝晶，库仑效率 ​＞99.98%​​
・液流电池电极催化膜​：质子-电子双通路设计提升功率密度 ​30%​​
​◉ 智能传感系统：​​
・自供电压电触觉传感器​：VS₂/PDMS复合膜输出电压 ​＞5V**​（微牛级压力）
・多铁性磁电耦合单元​：磁滞回线与铁电回线强耦合（α_ME > 20 mV/cm·Oe）

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