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硅掺锡靶材(Si-Sn)

硅掺锡靶材(Si-Sn)
  • 硅掺锡靶材(Si-Sn)
硅掺锡靶材(Si-Sn)基本信息
分子式Si-Sn
纯度99.99%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性(水)

硅掺锡靶材(Si-Sn)产品概况

        硅掺锡合金(Si-Sn)靶材采用半导体级硅(≥99.9999%)与超高纯锡(≥99.995%)为原料,通过真空悬浮区熔+等离子活化烧结(PAS)工艺制备的窄带隙功能溅射靶材。核心特性包括:

•精密掺杂控制(Sn 1-15at.% 梯度可调)

•纳米级共晶组织(Si/Sn相尺寸 20-200nm)

•超低氧含量(O<30ppm,C<10ppm)

•理论密度>98.8%(闭孔率<0.1%)
    在反应磁控溅射中实现膜层载流子迁移率>100cm²/V·s,可见光平均透射率**>85%**(400-700nm)。

核心价值源于硅锡合金的能带工程突破

➊ 可调光电特性

•带隙宽度 1.1-1.8eV(n含量精准调控)

塞贝克系数 **>300uV/K**(室温热电优值ZT>0.4)

➋ 高效低温沉积

·200°C成膜结晶度**>90%(突破硅基材料低温限制)

·附着力 >35MPa**(柔性衬底兼容性)

➌ 多重功能集成

·双极性导电调控(n/p型转换阈值Sn=7at.%)

·自修复抗氧化特性(表面Si0,/Sno,钝化层再生)


硅掺锡靶材(Si-Sn)产品应用

主导应用覆盖新能源与柔性电子​
◉ ​高效薄膜光伏​
▸ 叠层太阳能电池窄带隙吸收层(转换效率 ​**>25%​**)
▸ 半透明光伏窗体功能层(雾度 ​​<3%​)
◉ ​新一代热电转换​
▸ 可穿戴设备微温差发电膜(功率密度 ​**>50μW/cm²**)
▸ 物联网传感器自供电层(低温ΔT=5K即工作)
◉ ​先进显示技术​
▸ 柔性AMOLED TFT沟道层(迁移率 ​**>15cm²/V·s**)
▸ 电致变色智能窗离子存储层(循环寿命 ​**>10⁶次**)
◉ ​智能传感系统​
▸ 非制冷红外探测敏感层(比探测率 ​**>10⁹ Jones**)
▸ 气体传感器多孔催化膜(对NO₂灵敏度 ​**>500%​**)

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