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锑掺锗靶材（SbGe）

锑掺锗靶材（SbGe）
  • 锑掺锗靶材（SbGe）
锑掺锗靶材（SbGe）基本信息
分子式Sb-Ge
纯度99.999%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

锑掺锗靶材（SbGe）产品概况

        锑掺锗靶材采用区域熔炼高纯锗锭（≥99.9999%）与蒸馏提纯锑锭（≥99.995%），通过垂直梯度凝固法（VGF）+ 超精准掺杂工艺制备的N型半导体靶材。核心特性包括：

•原子级掺杂控制（Sb掺杂浓度 0.1-10at.%，绝对偏差≤±0.05at.%）

•超大单晶结构（单晶直径 ≤400mm，位错密度 ＜10² cm⁻²）

•极端纯度保障（杂质总量 ＜0.1ppm，关键受主元素 B＜0.01ppb）

•零内应力晶格（晶格畸变 ＜0.001%，XRD半峰宽≤15 arcsec）
•在低温溅射中实现膜层载流子迁移率≥1600 cm²/V·s，红外截止波长可调至 **≥14μm**，突破硅基材料光电性能极限。

核心价值源于量子化掺杂技术

➊ 电学性能革命

·载流子浓度精密调控(5x1014~2x1019cm-³线性可控)·超低接触电阻(欧姆接触电阻率 ≤5x10-72·cm?)

➋ 红外光电革命

·宽谱响应调控(截止波长3~15um 可编程设计暗电流抑制(77K下暗电流密度 <10-“ A/cm?)

➌ 极端环境稳定性

·抗位移损伤(1Mev电子辐照后性能衰减<8%)

·热循环耐受性(77K↔300K循环 **>1000次**无开裂)



锑掺锗靶材（SbGe）产品应用

锑锗具有优异的电学,光学性能,被成功的应用于非易失性存储器和光电器件方面.
◉ ​新一代红外成像​
▸ 第三代制冷型焦平面阵列（量子效率 ​**＞75%@10μm**）
▸ 太空望远镜红外探测器（暗计数率 ​​＜0.01Hz/pixel）
◉ ​量子信息技术​
▸ 拓扑量子计算基板（马约拉纳零能模式观测平台）
▸ 单光子探测器吸收层（1550nm探测效率 ​**≥40%​**）
◉ ​深空探测系统​
▸ 深低温辐射剂量计（能量分辨率 ​​≤0.5keV@60keV）
▸ 系外行星光谱仪传感层（JWST替代方案）
◉ ​核辐射监测​
▸ 高能γ射线谱仪（对⁶⁰Co分辨率 ​​≤1.7%@1.33MeV）
▸ 聚变堆中子通量监测（抗电磁干扰能力 ​**＞120dB**）

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