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科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制，
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铟锑碲靶材（In3SbTe2）

铟锑碲靶材（In3SbTe2）
  • 铟锑碲靶材（In3SbTe2）
铟锑碲靶材（In3SbTe2）基本信息
分子式In3SbTe2
纯度99.99%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性（水）

铟锑碲靶材（In3SbTe2）产品概况

        铟锑碲靶材采用区域悬浮精炼超纯铟（≥99.9999%）、单晶提纯锑（≥99.999%）及碲蒸馏晶体（≥99.999%），通过分子束外延-等离子体淬火（MBE-PQ）工艺制备的相变存储/神经突触双功能靶材。核心特性包括：

•超晶格相变结构（InSb/InTe交替层厚 2.5±0.3nm，晶界密度 ≤10³ cm⁻¹）

•纳秒级相变速度（结晶/非晶转变时间 <7ns，循环寿命 **>10¹²次**）

•多级阻态调控（电阻比值 Rₐₘᵣ/Rᵣyₛₜ >10⁵，线性电导调制 **>100级**）

•量子化电导特性（电导量子台阶 0.01-2G₀，量子态保持 **>10⁴ s**）
•在磁控溅射中实现相变存储器单元功耗≤5pJ/bit，神经突触权重更新精度**>8bit**，突破传统存储与AI芯片的能效墙-冯·诺依曼瓶颈。

核心价值源于晶格动力学调控

➊ 存储性能革新

·超高操作速度(编程延迟 3ns，较PCM提升10倍)

·超低热串扰(单元间距 ≤15nm，热串扰抑制 **>40dB**)

➋ 神经形态计算

·模拟突触行为(电导线性度因子 α>0.98)

·脉冲时序依赖(STDP学习精度 **>95%**)

➌ 极端集成特性

·亚埃级结构稳定性(1012次循环相变层偏移 <0.2nm)

·抗辐照强化(100krad(si)剂量下阻变比保持 **>98%**)


铟锑碲靶材（In3SbTe2）产品应用

◉ ​超高密度存储​
▸ 3D Xpoint级存储器（单元尺寸 ​4F²，存储密度 ​**>4Tb/in²**）
▸ 全息存储记录层（衍射效率 ​**>85%@532nm**）
◉ ​类脑计算芯片​
▸ 神经形态处理器突触阵列（能效 ​**>5TOPS/W@8bit**）
▸ 脉冲神经网络核心（图像识别能效比 ​**>100×GPU**）
◉ ​量子信息器件​
▸ 量子比特控制电极（退相干抑制率 ​**>60%​**）
▸ 量子存储器耦合层（保真度 ​**>99.99%​**）
◉ ​感存算一体系统​
▸ 光敏突触成像阵列（光响应度 ​**>10³ A/W**）
▸ 边缘计算传感器（事件驱动功耗 ​​<1μJ/event）

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