铝钪合金靶材(AlSc)产品概况

低钪（<10at%）含量的铝钪合金靶材：AlSc5at%铝钪合金靶材，AlSc9at%的铝钪合金靶材。

高钪（≥10at%）含量的铝钪合金靶材‌：科泰已经开发出 AlSc17.5at%铝钪靶材, AlSc22.5at%铝钪靶材，AlSc30at%用于制备氮化铝掺钪（ScAlN）压电薄膜，满足5G射频滤波器、MEMS传感器等高频器件的性能需求，靶材纯度≥99.99%，氧含量控制在≤1000 ppm，直径>300mm的大直径铝钪合金靶材。

        铝钪合金（Sc 0.1-2.0at.%）靶材采用超高纯铝锭（≥99.999%）与航空航天级金属钪（≥99.99%）为原料，通过真空悬浮区域精炼+定向凝固工艺制备的高频微电子功能溅射靶材。核心特性包括：

•钪含量精密调控（±0.05at.%精度）

•亚纳米级Al₃Sc析出相（尺寸5-20nm，密度＞10¹⁸/m³）

•超低电活性杂质（Fe<0.1ppm, Si<0.2ppm, O<30ppm）

•单晶级取向精度（（111）面织构度＞98%）

•理论密度＞99.95%（闭孔率<0.005%）
•在UHV磁控溅射中实现薄膜载流子迁移率＞500cm²/V·s，射频损耗tanδ<0.0005@10GHz。

核心价值源于钪量子效应与界面工程

➊ 氮化镓外延革命

•超低失配界面(与GaN晶格失配率<0.08%)

•二维电子气密度 **>1.5x1013/cm2**(射频器件跨代指标)

➋ 量子级高频特性

•截止频率f>250GHz(5G毫米波核心参数)

•约翰逊优值 」…x>15THZ:V(功率密度突破30W/mm)

➌ 极端热稳定性

•800°C退火晶粒尺寸变化<3%

•热循环疲劳寿命 **>10°次**(ΔT=400°C)

◉ 铁电存储器件‌
氮化铝钪薄膜凭借其高温稳定性和可逆极化特性，成为下一代非易失性存储器的核心材料。其铁电性能在含氢气氛和600℃高温下仍能保持稳定，解决了传统铁电材料（如PZT）在高温工艺中易失效的问题，适用于高密度数据存储和低功耗存储芯片。
◉ 压电MEMS器件‌
‌高频声学传感器与滤波器‌：AlScN薄膜的压电常数（d33）显著高于纯氮化铝，机电耦合系数（kt²）可达6.8%以上，支持更高频率（如5G射频滤波器）和更灵敏的声波器件（如超声波换能器）。
‌能量采集器‌：通过机械振动能量转化为电能，应用于物联网设备的自供电系统。
◉ 半导体与先进封装‌
‌外延衬底技术‌：通过优化AlN/ AlScN异质外延结构，降低薄膜应力积聚，减少晶圆翘曲，提升半导体外延片良率1。
‌芯片散热‌：作为高导热材料，用于5G芯片封装中的散热层，降低局部热点温度15%-20%，替代传统有机材料以延长器件寿命。
◉ 航空航天与军工领域‌
AlScN薄膜的高耐热性和抗氧化性，可应用于航空发动机涡轮叶片表面涂层，增强部件抗高温氧化能力，延长使用寿命。
‌技术发展趋势‌：随着掺钪浓度调控和沉积工艺的优化（如宙讯微电子的磁控溅射技术），AlScN薄膜在微型化、高频化和高可靠性器件中的渗透率将持续提升。