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铋锡银镱锶合金棒(BiSnAgYbSr)

铋锡银镱锶合金棒(BiSnAgYbSr)
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铋锡银镱锶合金棒(BiSnAgYbSr)基本信息
分子式Bi-Sn-Ag-Yb-Sr
纯度99.9%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性(水)

铋锡银镱锶合金棒(BiSnAgYbSr)产品概况

        铋锡银镱锶合金棒是一种通过高真空熔炼+定向凝固工艺制备的五元特种功能合金材料。该合金棒以低温共晶铋锡(Bi-Sn)为基体,引入银(Ag)增强导电/导热性、稀土镱(Yb)改善润湿性及抗氧化能力、碱土锶(Sr)细化晶粒并抑制偏析,实现多性能协同优化。具备以下核心特性:

  • 高纯组分(主元素纯度≥99.99%,杂质总含量<100 ppm)

  • 超低熔点(可调范围:138–232°C,适应不同低温场景)

  • 定向致密结构(气孔率<0.5%,轴向晶粒取向占比>80%)

  • 可控热膨胀系数(CTE:12–19 ppm/K,可匹配半导体/陶瓷基板)

        核心价值源于多元素协同赋予的极端工况适应力:
➊ 低温高效连接:
・液态流动性提升30% → 微孔填充能力显著增强
・Sn/Yb共析抑制Bi脆性 → 接头抗冷热冲击性(ΔT>200°C)
・Sr细化晶界 → 焊点剪切强度达 **>45 MPa(高于传统Bi-Sn 60%)
➋ 电热精确调控:
・Ag网络优化载流路径 → 电阻率 ≤25 μΩ·cm(接近纯锡)
・Yb₂O₃表面钝化 → 1000h湿热老化后电导衰减<5%
➌ 环境稳定性:
・Yb/Sr复合稀土氧化物屏障 → 抗氧化温度提升至 280°C
・低挥发性(失重率<0.1wt%/200h @150°C)


铋锡银镱锶合金棒(BiSnAgYbSr)产品应用

◉ 高功率芯片封装互连:​​
・第三代半导体(SiC/GaN)​​:低温焊接银涂覆DBC基板,缓解高温应力损伤,热循环寿命(-55~175°C)​**>5000次**。
・量子计算超导电路​:作为超导腔(NbTi/Nb₃Sn)与铜基座间低热阻应力缓冲层,抑制相位噪声。
◉ ​深空/深地探测传感器封装:​​
・月球/火星地表探测器​:在-180°C~150°C极端温域实现真空密封焊接​(漏率<1×10⁻⁹ Pa·m³/s)。
・地热井耐蚀电极​:Ag-Yb复合相抑制H₂S/CO₂腐蚀,服役寿命>10年。
​◉ 可控核聚变装置低温密封:​​
・超导磁体线圈接头填充材料​:低温塑性变形补偿热收缩,维持杜瓦系统真空完整性。
◉ ​热电转换器件界面层:​​
・Bi₂Te₃基热电器件​:匹配CTE与电极衬底(Cu/Mo),降低界面电阻20%。

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