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氧化钇靶材(Y2O3)圆环型

氧化钇靶材(Y2O3)圆环型
  • 氧化钇靶材(Y2O3)圆环型
氧化钇靶材(Y2O3)圆环型基本信息
分子式Y2O3
纯度99.99%
CAS号1314-36-9
摩尔质量225.81
密度5.010 g/cm³
熔点2690 °C
沸点4300 °C
溶解性(水)不溶于水

氧化钇靶材(Y2O3)圆环型产品概况

        本靶材由超高纯钇锭(≥99.995%)经 等离子体氧化+热压烧结(HP)+热等静压(HIP) 三级工艺制备的 极限功能陶瓷薄膜材料。核心特性:

•亚纳米晶粒结构(晶粒尺寸 50-200nm,<111>择优取向度>90%)

极端致密化(相对密度 **>99.98%**,闭孔率 <0.005vol%)

超低缺陷浓度(氧空位 <10¹⁵cm⁻³,金属杂质 <0.1ppm)

溅射稳定性(电弧事件 <1次/kh,适用于HiPIMS超薄膜沉积)
    在反应溅射中实现 膜层介电常数k=14±0.2(比传统SiO₂介质 提升200%绝缘性能),1700℃工况下氧化速率 <0.001mg/cm²·h。

核心价值源于钇基氧化物的物理极限突破

➊ 量子级介电性能

·等效氧化物厚度(EOT)0.42nm(电流 <10-°A/cm'@1MV/cm)

·介电损耗 tan8<0.0001(@10GHz,毫米波芯片关键指标)

➋ 抗极端环境损伤

·抗等离子体蚀刻速率 <0.05nm/min(CF/0,刻蚀气体)

·耐中子辐照能力 **>100dpa**(位移损伤阈值)

➌ 跨尺度工艺兼容

·原子层沉积(ALD)成膜速率 **>1.2nm/循环(前驱体吸附能 0.35eV**)

·EUV光刻反射镜多层膜(13.5nm反射率 **>75%**)


氧化钇靶材(Y2O3)圆环型产品应用

主导应用场景与性能突破​
◉ ​先进半导体制造​
▸ 3nm以下节点高k栅介质(EOT ​0.4nm,栅极漏电降低10⁵倍)
▸ DRAM电容介电层(介电常数k=​32,存储密度突破128Gb)
◉ ​大科学装置核心部件​
▸ 聚变堆第一壁防护涂层(抗氢氦辐照起泡 ​**>10²²ions/m²**)
▸ 同步辐射光束线反射镜(表面粗糙度 ​​<0.2nm RMS)
◉ ​​超精密光学系统​
▸ EUV光刻机多层膜反射镜(热变形 ​​<5μrad@1kW/cm²)
▸ 深紫外激光窗口(透过率 ​**>90%@193nm**)
◉ ​核医学诊疗设备​
▸ 质子治疗靶室防辐射内衬(次级辐射产额降低50倍)
▸ 放射性同位素钇-90靶材(核纯度 ​**>99.9999%​**)

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