氧化铈靶材（CeO2）产品概况

纯品为白色重质粉末或立方体结晶，不纯品为浅黄色甚至粉红色至红棕色(因含有微量镧、镨等)。

        氧化铈 (CeO₂) 靶材是一种以高纯度二氧化铈为原料，通过先进粉末冶金工艺（如热压烧结HP、热等静压HIP或火花等离子烧结SPS）制备的高性能陶瓷溅射靶材。该靶材具备极高的化学纯度（通常≥99.99%，可定制99.999%及以上半导体级）、优异的致密化程度（高密度、低气孔率，通常 >95%理论密度）、均匀的微观结构（细小且分布均匀的晶粒）及优异的结晶取向（立方萤石结构）。这些特性确保其在磁控溅射（DC, RF, MF, 反应溅射）、脉冲激光沉积（PLD）等物理气相沉积（PVD）工艺中表现出色：溅射稳定、成膜速率高、膜厚均匀、颗粒缺陷少。

核心价值源于 Ce⁴⁺/Ce³⁺ 可逆变价特性在薄膜中的高效体现：

➊ 优异的储氧释氧能力 (OSC)：

      沉积的 CeO₂ 薄膜拥有优异的氧空位形成与迁移能力，对氧浓度变化响应灵敏。

      这是其作为催化剂助剂和离子导体材料的基石。

➋ 高效的催化活性：

      薄膜表面 Ce⁴⁺/Ce³⁺ 位点是强效的氧化还原活性中心。

➌ 特定功能光学特性：

      紫外吸收： 对波长 < 400 nm 的紫外光有强吸收。

      可见光透明： 在可见光区域具有高透光性。

      高折射率： 可用于特定光学膜系设计。

➍ 离子/混合传导性：

      具有本征的 O²⁻ 离子迁移能力。

      掺杂（如Gd, Sm）后可显著提升氧离子电导率，实现高效离子传导或混合传导。

在微电子,缓冲层材料,催化剂,气敏传感器等诸多领域有着广阔的应用前景。
◉ 半导体制造（核心技术支撑）
​应用位点​：
HKMG栅极界面层（CeO₂/HfO₂堆叠结构）
DRAM存储电容介质层
​量产指标​：
良率提升：+2.3%（vs 传统SiON界面）
栅泄漏降低：＞10⁴倍（@0.8V工作电压）
◉ 固态电池（新兴增长点）
​功能结构​：
正极包覆层，NCM811，5nm CeO₂层，循环寿命+40%@4.6V
固态电解质界面，LLZO，Ce₀.₉Gd₀.₁O₂缓冲层，界面阻抗↓60%
锂金属保护层，Li负极，非晶CeO₂ 枝晶抑制＞500h
◉ 极紫外光刻（EUV）光学系统
​核心部件​：
反射镜抗污染盖帽层（CeO₂/Mo/Si多层膜）
​性能要求​：
13.5nm反射率＞65%（需膜厚控制±0.1nm）
抗辐射损伤寿命＞1PW·hr（1拍瓦时）