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一氧化锡靶材(SnO)essential information | |
Molecular formula | SnO |
purity | 99.99% |
CAS No | 21651-19-4 |
Molar mass | 134.709 |
density | 6.45 g/cm3 |
melting point | 1080 °C |
boiling point | |
Solubility (water) | 不溶于水 |
一氧化锡靶材(SnO)Product application |
一氧化锡是亚稳态金属氧化物半导体,,其Sn空位形成能低,易形成p型传导,具有良好的半导体特性。在220°C及以下的温度时,SnO可以在空气中稳定的存在。其适当的带隙结构和良好的稳定性使它可作为一种用作环境净化的光催化材料,可以将其用于光催化降解有机污染物;SnO在能源储存方面也有不错的性能,其理论比容量较高,在制作成超级电容器时具有良好的赝电容性能。