科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
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| 钽硼氧(Ta-B-O)复合靶材基本信息 | |
| 分子式 | Ta-B-O |
| 纯度 | 99.9% |
| CAS号 | |
| 摩尔质量 | |
| 密度 | |
| 熔点 | |
| 沸点 | |
| 溶解性(水) | |
本靶材采用高纯钽粉(≥99.99%)、无定形硼粉(≥99.95%)及特种氧化钽前驱体(Ta₂O₅-H₂O胶体)经 微波等离子体烧结(MPS)→ 多向热锻(MDF)→ 气相渗透致密化(GID) 三级工艺制备的 极端电子与防护超材料。
核心特性:
•多相纳米结构(TaB₂晶粒+Ta₂0,非晶基体+Ta-B-0界面相,特征尺寸 10-50nm)
•组分梯度精密调控(B:Ta:0=35-50:30-40:15-30 at.%)
•超晶格界面密度(界面相体积占比 >40%,厚度 0.5-2nm)
•理论密度>99.97%(闭孔率 <0.001vol%,晶格氧缺失率 <0.1%)
核心价值源于钽/硼/氧三元协同相变
➊ 极限硬韧协同
•室温硬度>38GPa(塑性变形区 >30%)
·1600°℃高温强度 1.2GPa(较YSZ涂层 提升5倍)
➋ 智能电学切换
•电阻率可调范围 10-3-1012Ω·cm(电场/温度/光照三重调控)
·介电常数 k=15-60可编程(1MHZ,容差 ±1%)
➌ 量子级辐射防护
·抗中子辐照>100dpa(肿胀率 <0.01%)
•伽马射线屏蔽率 >99.9%@1.33MeV(等效铅厚度 1/10)
| 钽硼氧(Ta-B-O)复合靶材产品应用 |
主导应用场景与性能突破
1. 第四代半导体制造
▸ 2nm GAA晶体管高k介质(漏电流 <10⁻⁹A/cm²@5MV/cm,EOT 0.35nm)
▸ 三维存储单元阻变层(开关比 >10⁸,操作电压 <±2V)
2. 聚变能关键防护
▸ 偏滤器主动热控瓦片(面内热导 >200W/m·,垂直热导 <1W/m·K)
▸ 液态锂包层阻氚膜(氚渗透率 <10⁻¹⁷ mol·m⁻¹·s⁻¹·Pa⁻¹)
3. 深空探测系统
▸ 木星辐射带电子封装(抗电子辐照 >10¹⁸ e⁻/cm²)
▸ 核热推进喷嘴热障(耐温 2800K,热循环 >500次)
4. 量子信息硬件
▸ 超导量子比特微波腔(Q值 >5×10⁷@20mK)
▸ 拓扑量子芯片衬底(马约拉纳零能模退相干时间 >100μs)