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钽硼氧(Ta-B-O)复合靶材

钽硼氧(Ta-B-O)复合靶材
  • 钽硼氧(Ta-B-O)复合靶材
钽硼氧(Ta-B-O)复合靶材基本信息
分子式Ta-B-O
纯度99.9%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性(水)

钽硼氧(Ta-B-O)复合靶材产品概况

        本靶材采用高纯钽粉(≥99.99%)、无定形硼粉(≥99.95%)及特种氧化钽前驱体(Ta₂O₅-H₂O胶体)经 微波等离子体烧结(MPS)→ 多向热锻(MDF)→ 气相渗透致密化(GID) 三级工艺制备的 极端电子与防护超材料。

核心特性:

•多相纳米结构(TaB₂晶粒+Ta₂0,非晶基体+Ta-B-0界面相,特征尺寸 10-50nm)

组分梯度精密调控(B:Ta:0=35-50:30-40:15-30 at.%)

超晶格界面密度(界面相体积占比 >40%,厚度 0.5-2nm)

理论密度>99.97%(闭孔率 <0.001vol%,晶格氧缺失率 <0.1%)

核心价值源于钽/硼/氧三元协同相变

➊ 极限硬韧协同

室温硬度>38GPa(塑性变形区 >30%)

·1600°℃高温强度 1.2GPa(较YSZ涂层 提升5倍)

➋ 智能电学切换

电阻率可调范围 10-3-1012Ω·cm(电场/温度/光照三重调控)

·介电常数 k=15-60可编程(1MHZ,容差 ±1%)

➌ 量子级辐射防护

·抗中子辐照>100dpa(肿胀率 <0.01%)

伽马射线屏蔽率 >99.9%@1.33MeV(等效铅厚度 1/10)


钽硼氧(Ta-B-O)复合靶材产品应用

主导应用场景与性能突破​
1. ​第四代半导体制造​
▸ 2nm GAA晶体管高k介质(漏电流 ​​<10⁻⁹A/cm²@5MV/cm,EOT ​0.35nm)
▸ 三维存储单元阻变层(开关比 ​>10⁸,操作电压 ​​<±2V)
2. ​聚变能关键防护​
▸ 偏滤器主动热控瓦片(面内热导 ​>200W/m·,垂直热导 ​​<1W/m·K)
▸ 液态锂包层阻氚膜(氚渗透率 ​​<10⁻¹⁷ mol·m⁻¹·s⁻¹·Pa⁻¹)
3. ​深空探测系统​
▸ 木星辐射带电子封装(抗电子辐照 ​>10¹⁸ e⁻/cm²)
▸ 核热推进喷嘴热障(耐温 ​2800K,热循环 ​>500次)
4. ​量子信息硬件​
▸ 超导量子比特微波腔(Q值 ​>5×10⁷@20mK)
▸ 拓扑量子芯片衬底(马约拉纳零能模退相干时间 ​>100μs)

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