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二氧化硅靶材(SiO2)

二氧化硅靶材(SiO2)
  • 二氧化硅靶材(SiO2)
二氧化硅靶材(SiO2)基本信息
分子式SiO2
纯度99.99%
CAS号14808-60-7
摩尔质量60.08 g/mol
密度2.2 g/cm³
熔点1713 ℃
沸点2230 ℃
溶解性(水)不溶于水、酸(氢氟酸除外);可与 HF 反应生成 SiF₄;溶于浓强碱溶液。

二氧化硅靶材(SiO2)产品概况

二氧化硅靶材属于氧化物陶瓷靶材,是绝缘介质溅射靶材,一般采用热压烧结 / 常压烧结工艺制成,形态有圆靶、方靶、带背板绑定靶(铜背板为主)。 SiO₂靶为介电材料,溅射后形成二氧化硅薄膜,薄膜具备高绝缘、高透光、低介电常数、化学稳定性好等特点。靶材烧结体脆性较大,导热差,溅射时功率不能过高,常使用射频溅射(RF),不能直流溅射。

二氧化硅靶材(SiO2)产品应用

薄膜应用:
1. 半导体行业:晶圆介质层、钝化保护层、浅沟槽隔离层、芯片表面绝缘保护膜。
2. 光学镀膜:光学镜片增透膜、滤光片、反光膜,SiO₂是最常用的低折射率光学薄膜材料。
3. 显示面板:LCD/OLED 薄膜封装、绝缘层、阻挡层。
4. 光伏行业:太阳能电池减反膜、钝化层。
5. 其他:传感器保护膜、金属防腐绝缘涂层

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