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氧化锡掺钯靶材(SnO2-Pd)

氧化锡掺钯靶材(SnO2-Pd)
  • 氧化锡掺钯靶材(SnO2-Pd)
氧化锡掺钯靶材(SnO2-Pd)基本信息
分子式SnO2-Pd
纯度99.95%
CAS号无独立 CAS 号
摩尔质量随掺杂比例变化
密度6.2~6.8 g/cm³
熔点无单一熔点
沸点无固定沸点
溶解性(水)不溶于水、乙醇、稀酸;可溶于浓强碱;可被浓热强酸缓慢腐蚀;Pd 组分可被王水溶解

氧化锡掺钯靶材(SnO2-Pd)产品概况

氧化锡掺钯靶材是磁控溅射用陶瓷靶材,采用 SnO₂粉体与钯源(PdO 或金属 Pd 粉)混粉、成型、高温烧结制备,可做成圆靶、方靶,可绑定铜背板。 属于宽禁带半导体氧化物靶材,Pd 作为贵金属催化掺杂剂,作用是降低薄膜气敏工作温度、提升响应速度、提高气体选择性;靶材脆性大,一般采用射频 RF 溅射。溅射沉积后得到 Pd 掺杂 SnO₂气敏薄膜,是薄膜型气体传感器的核心敏感层原料。

氧化锡掺钯靶材(SnO2-Pd)产品应用

薄膜应用:
1. 薄膜气体传感器(最主要用途):检测 CO、H₂、甲烷、甲苯、乙烯等;用于工业可燃气体报警器、煤矿瓦斯监测、室内空气监测、果蔬保鲜乙烯检测、氢气检漏传感器。Pd 掺杂显著提升灵敏度、缩短响应恢复时间,降低传感器工作温度。
2. 半导体微纳传感器:MEMS 微型气敏芯片,微型集成气体传感器阵列。
3. 催化薄膜:微结构催化涂层,用于气体催化反应、气体分离器件。
4. 科研实验:实验室 PVD 镀膜,气敏薄膜、半导体氧化物薄膜机理研究。

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