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产品中心
PRODUCTS
二氧化钽靶材（TaO₂）
| 二氧化钽靶材（TaO₂）基本信息 | |
| 分子式 | TaO₂ |
| 纯度 | 99.9%、99.95% |
| CAS号 | 12035‑90‑4 |
| 摩尔质量 | 212.95 g/mol |
| 密度 | 7.6~8.0 g/cm³ |
| 熔点 | 无单一熔点 |
| 沸点 | 无固定沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水、稀酸；可被氢氟酸、浓热强碱缓慢腐蚀；可被王水腐蚀 |
二氧化钽靶材（TaO₂）产品概况
二氧化钽靶材（TaO₂）为磁控溅射 PVD 用陶瓷靶材，采用钽源粉体混合、成型、真空热压烧结制备，可加工圆靶、方靶，可绑定铜背板。 TaO₂具备半金属导电特性，薄膜内部易形成氧空位，是制备阻变薄膜的核心材料；靶材脆性较大，溅射一般采用RF 射频溅射，工艺需严格控制氧分压，用来调控薄膜氧空位浓度，是 RRAM、忆阻器的专用靶材。
区分提醒：更常见的氧化钽靶是Ta₂O₅五氧化二钽（绝缘高 k 介质），TaO₂是低价氧化钽，用于阻变存储，二者用途完全不同。
| 二氧化钽靶材（TaO₂）产品应用 |
薄膜应用：
1. 阻变存储器 RRAM / 忆阻器（核心用途）：制备钽基阻变功能层，用于非易失存储、存算一体、神经形态芯片，依靠氧空位形成导电丝实现高低阻态切换，开关速度快、循环稳定性优异。
2. MIM 金属 - 绝缘 - 金属微电子器件：制备可调电阻率功能薄膜。
3. 特种光学薄膜：红外吸收、半吸收型光学涂层（不适合高透光学滤光片）。
4. 氧敏传感器薄膜：MEMS 氧敏传感功能层，电化学薄膜研发。
5. 前沿科研：超导、量子器件、微纳电子薄膜基础研究，磁控溅射、PLD 镀膜实验。
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