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氧化铟锡靶材(ITO)

氧化铟锡靶材(ITO)
  • 氧化铟锡靶材(ITO)
氧化铟锡靶材(ITO)基本信息
分子式In₂O₃-SnO₂(行业标准配比 90wt% In₂O₃ +10wt% SnO₂)
纯度99.99%
CAS号50926-11-9
摩尔质量428.34 g/mol
密度7.14 g/cm³
熔点约 1800 ℃
沸点无固定沸点
溶解性(水)不溶于水、乙醇;难溶于稀酸,可溶于浓强酸、熔融强碱

氧化铟锡靶材(ITO)产品概况

氧化铟锡(ITO)靶材为黑色致密陶瓷靶,属于掺锡氧化铟,立方晶系;同时具备高导电性与可见光高透光率,是经典 TCO 材料;可制备平面圆靶、方靶、台阶靶、旋转管靶,常规铟焊绑定铜背板;靶材致密度、锡含量、氧含量直接决定薄膜方阻与透光率;溅射气氛(氧分压)对薄膜光电指标影响很大。

氧化铟锡靶材(ITO)产品应用

薄膜应用:
1. 触控屏、LCD、OLED 显示面板:透明导电电极(最大应用)
2. 薄膜太阳能电池(CIGS、钙钛矿)透明前电极
3. Low‑E 低辐射玻璃、汽车除雾导电玻璃
4. 电磁屏蔽、防静电透明涂层
5. 光电探测器、光电器件、传感器透明电极
6. 电致变色器件、智能调光玻璃导电层

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