三氧化钼靶材（MoO3）Product overview

三氧化钼靶材是以高纯钼粉（≥99.99%）或钼酸铵为原料，通过等离子活化烧结（PAS）、热等静压（HIP） 或化学气相传输（CVT） 制备的层状正交晶系镀膜源，纯度≥99.95%，密度≥4.69 g/cm³（相对密度≥98.5%）。其具备高电致变色效率（＞150 cm²/C）、空穴注入能力（功函数5.3 eV）、宽光谱调制（350-2500 nm） 及离子存储特性，专用于智能窗电致变色层、OLED空穴注入层、锂电预嵌锂电极及X射线成像增感屏。通过晶面择优取向（(010)面占比＞85%）、氧空位精准调控（Vₒ：0.5-8 at%） 及纳米复合设计（MoO₃/WO₃），满足新一代节能建筑、柔性显示及先进影像设备对高性能氧化物薄膜的核心需求。

氧化钼膜具有优异的电性、光性和物理表面光洁等特性，可广泛用于发光二极管(OLED)、液晶显示装置(LCD )等、离子显示板(PDP)、场射显示板(FED)、薄膜太阳能电池、低电阻欧姆触点材料和其它电子材料和半导体材料。
◉ 建筑智能幕墙
​20m²级电致变色窗​
功耗＜0.5W/m²（维持态）｜可见光透过率调节范围15%-80%
​镀膜方案​：双离子束溅射（工作气压0.2Pa｜基板温度＜80℃）
​◉ 航空航天内饰
​聚酰亚胺基材阻燃涂层​
氧指数LOI＞45%｜热释放峰值降低85%
​技术机制​：MoO₃催化成炭+自由基捕获协同
​◉ 全固态电池
​锂金属负极界面修饰层​
循环2000周膨胀率＜5%｜库伦效率＞99.8%
​原位生成相​：LiₓMoO₃/Li₃N复合离子通道
◉ 柔性显示封装
​OLED水氧阻隔膜​
WVTR＜10⁻⁶g/m²/day @85℃/85%RH（MOCON测试）
弯折寿命：＞200,000次@R=2mm