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氧化铪靶材（HfO2）

氧化铪靶材（HfO2）
  • 氧化铪靶材（HfO2）
氧化铪靶材（HfO2）基本信息
分子式HfO2
纯度99.95%
CAS号12055-23-1
摩尔质量210.4888
密度9.68 g/cm³
熔点2758 ℃
沸点5400 ℃
溶解性（水）难溶于水

氧化铪靶材（HfO2）产品概况

氧化铪靶材是以 核级铪锭（Hf＞99.95%） 或 氯氧化铪（HfOCl₂） 为原料，经 等离子体球化、 热等静压烧结（HIP） 或 射频溅射自绑定 制备的灰白色陶瓷靶材（密度＞9.68 g/cm³），专用于 原子层沉积（ALD）、 磁控溅射 制备高k栅介质、铁电存储器及抗辐照涂层。其核心优势在于 介电常数（κ=25）、 超宽带隙（5.7 eV） 及 相变可编程性（单斜/四方/正交相），通过 稀土掺杂（Y,La）、 晶界工程 及 梯度结构设计，突破高脆性（莫氏硬度7.5）与导电性（10¹² Ω·cm）极限。

薄膜特性：透光范围～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15 （500nm）～2


氧化铪靶材（HfO2）产品应用

◉ 台积电N2节点栅介质
​High-κ金属栅极沉积​
前驱体：TDMAHf + O₃
性能指标：
- EOT=0.46nm
- Vt波动<10mV
- 栅极漏电<10⁻⁷ A/μm
​产线良率​：>98.7%（300mm晶圆/10万片验证）
​◉ ASML EUV光刻机
​反射镜抗污染层​
寿命延长至>2亿脉冲（原Mo/Si层寿命1.2亿）
​创新结构​：40层HfO₂/SiC超晶格（热应力<50MPa）
​◉ 全固态动力电池
​超薄电解质层​
自支撑膜厚10μm｜击穿场强>8MV/cm
​界面工程​：LiHfO₃原位缓冲层（界面阻抗<10Ω·cm²）
​◉ 抗辐射宇航芯片
​空间电子器件封装​
耐γ辐照>1MGy｜单粒子翻转率↓99%
​机制​：Hf⁴⁺空位捕获电子陷阱

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