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氧化镓靶材(Ga2O3)

氧化镓靶材(Ga2O3)
  • 氧化镓靶材(Ga2O3)
氧化镓靶材(Ga2O3)基本信息
分子式Ga2O3
纯度99.999%
CAS号12024-21-4
摩尔质量187.852
密度5.88
熔点1740℃
沸点
溶解性(水)不溶于水,微溶于热酸或碱溶液,易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。

氧化镓靶材(Ga2O3)产品概况

        氧化镓靶材(Ga₂O₃)是以宽禁带半导体(禁带宽度4.8-5.3 eV)为核心特性的高性能陶瓷材料,采用高纯氧化镓粉体(纯度≥99.95%)及热压烧结工艺制备,密度≥5.8 g/cm³。其具备超高击穿场强(8 MV/cm)、优异热稳定性及深紫外透光性,适配磁控溅射、脉冲激光沉积(PLD)等工艺,用于制备高功率电子器件、日盲紫外探测器、耐高温传感器及下一代功率半导体薄膜。支持掺杂(如Sn、Al)调控导电类型与载流子浓度,可定制尺寸(直径2-8英寸),满足5G通信、新能源充电桩及轨道交通领域对高效、低损耗器件的需求,兼具高性价比与先进半导体工艺兼容性。

氧化镓靶材(Ga2O3)产品应用

电力电子:电动汽车快充桩整流模块(效率>99%,体积缩小50%)。
智能电网固态变压器(工作频率>100 kHz,功率密度30 kW/L)。
光电器件:深紫外LED(波长270 nm,外量子效率达9.6%,2023年日本丰田合成成果)。
高能辐射探测器(X射线至γ射线,能量分辨率<1% @ 662 keV)。
极端环境:航空发动机高温传感器(1200℃下工作寿命>1000小时)。
核反应堆中子通量监测(耐辐照剂量>10¹⁶ n/cm²)。

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