科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
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氧化镓靶材(Ga2O3)基本信息 | |
分子式 | Ga2O3 |
纯度 | 99.999% |
CAS号 | 12024-21-4 |
摩尔质量 | 187.852 |
密度 | 5.88 |
熔点 | 1740℃ |
沸点 | |
溶解性(水) | 不溶于水,微溶于热酸或碱溶液,易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。 |
氧化镓靶材(Ga₂O₃)是以宽禁带半导体(禁带宽度4.8-5.3 eV)为核心特性的高性能陶瓷材料,采用高纯氧化镓粉体(纯度≥99.95%)及热压烧结工艺制备,密度≥5.8 g/cm³。其具备超高击穿场强(8 MV/cm)、优异热稳定性及深紫外透光性,适配磁控溅射、脉冲激光沉积(PLD)等工艺,用于制备高功率电子器件、日盲紫外探测器、耐高温传感器及下一代功率半导体薄膜。支持掺杂(如Sn、Al)调控导电类型与载流子浓度,可定制尺寸(直径2-8英寸),满足5G通信、新能源充电桩及轨道交通领域对高效、低损耗器件的需求,兼具高性价比与先进半导体工艺兼容性。
氧化镓靶材(Ga2O3)产品应用 |
电力电子:电动汽车快充桩整流模块(效率>99%,体积缩小50%)。
智能电网固态变压器(工作频率>100 kHz,功率密度30 kW/L)。
光电器件:深紫外LED(波长270 nm,外量子效率达9.6%,2023年日本丰田合成成果)。
高能辐射探测器(X射线至γ射线,能量分辨率<1% @ 662 keV)。
极端环境:航空发动机高温传感器(1200℃下工作寿命>1000小时)。
核反应堆中子通量监测(耐辐照剂量>10¹⁶ n/cm²)。