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五氧化二钽靶材(Ta2O5)

五氧化二钽靶材(Ta2O5)
  • 五氧化二钽靶材(Ta2O5)
五氧化二钽靶材(Ta2O5)基本信息
分子式Ta2O5
纯度99.99%
CAS号1314-61-0
摩尔质量441.893
密度8.2 g/mL at 25 °C(lit.)
熔点1872 °C
沸点无明确沸点
溶解性(水)不溶于水,乙醇和矿酸,溶于氢氟酸

五氧化二钽靶材(Ta2O5)产品概况

五氧化二钽靶材是以 电容级钽粉(≥99.99%) 或 钽酸锂废料 为原料,经 等离子球化、 热等静压烧结(HIP) 或 反应磁控溅射自绑定 制备的浅灰/深灰色陶瓷靶材(密度>8.2 g/cm³),专用于 射频溅射、 离子束沉积 制备高κ介质层、抗反射涂层及固态电解质膜。其核心优势在于 超高介电常数(κ=25-60)、 氧空位可编程性(Vₒ:0.5-5 at%) 及 辐射稳定性,通过 δ相稳定化、 纳米晶界工程 及 梯度导电背板设计,突破高脆性(莫氏硬度5.5)与溅射速率瓶颈。


五氧化二钽靶材(Ta2O5)产品应用

薄膜应用:
1. 光学镀膜(最大应用方向):高折射率膜层,增透膜、激光干涉滤光片、分光膜、光学镜头镀膜,常和 SiO₂搭配叠膜Stanford A...
2. 半导体微电子:高 k 栅介质、DRAM 薄膜电容、MIM 电容绝缘层、阻变存储器 RRAM 功能层,漏电流低、介电性能稳定
3. 防腐蚀、耐磨硬质涂层:光学元件、金属器件防护膜,耐摩擦、耐环境侵蚀
4. 光电器件:光伏电池缓冲层、光电探测器介质层、光波导薄膜
5.科研:介质薄膜、离子导体、表面改性、低维器件研究试样

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