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氧化钽靶材(Ta2O5)

氧化钽靶材(Ta2O5)
  • 氧化钽靶材(Ta2O5)
氧化钽靶材(Ta2O5)基本信息
分子式Ta2O5
纯度99.99%
CAS号1314-61-0
摩尔质量441.893
密度8.2 g/mL at 25 °C(lit.)
熔点1872 °C
沸点
溶解性（水）不溶于水，乙醇和矿酸，溶于氢氟酸

氧化钽靶材(Ta2O5)产品概况

氧化钽靶材是以 电容级钽粉（≥99.99%） 或 钽酸锂废料 为原料，经 等离子球化、 热等静压烧结（HIP） 或 反应磁控溅射自绑定 制备的浅灰/深灰色陶瓷靶材（密度＞8.2 g/cm³），专用于 射频溅射、 离子束沉积 制备高κ介质层、抗反射涂层及固态电解质膜。其核心优势在于 超高介电常数（κ=25-60）、 氧空位可编程性（Vₒ：0.5-5 at%） 及 辐射稳定性，通过 δ相稳定化、 纳米晶界工程 及 梯度导电背板设计，突破高脆性（莫氏硬度5.5）与溅射速率瓶颈。


氧化钽靶材(Ta2O5)产品应用

◉ 台积电A16节点栅介质
​原子层沉积（ALD）前驱体​
前驱体：PTA（叔丁氧化钽）｜反应温度：250℃
性能突破：
- κ=27｜EOT=0.40±0.02nm
- Vt波动<±8mV（300mm晶圆）
​量产良率​：＞99.2%（2025年N2节点验证）
​◉ 钍基熔盐堆（TMSR）
​控制棒中子吸收体​
中子毒物效率：​99.999%​吸收率@10cm
​复合设计​：Ta₂O₅/B₄C梯度结构（热应力<30MPa）
​服役寿命​：＞20年（中科院上海应物所验证）
​◉ ASML EUV光刻机
​反射镜防护层​
抗污染寿命＞3亿脉冲​（Mo/Si基准寿命1.5亿）
​创新结构​：Ta₂O₅/Ru超晶格（界面扩散<1原子层）
​◉ 空间核电源
​放射性同位素屏蔽体​
γ射线屏蔽率：10cm厚度衰减**＞99.9%​**​（¹³⁷Cs源）
服役温度：-180~650℃（月球基地电源系统）

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