科泰新材料可提供“元索周期表”近乎全元素(除放射性元素外)的任意组合材料定制,
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| 硅碳氮(SiCN)陶瓷靶材基本信息 | |
| 分子式 | SiCN |
| 纯度 | 99.5% |
| CAS号 | |
| 摩尔质量 | |
| 密度 | |
| 熔点 | |
| 沸点 | |
| 溶解性(水) | |
采用聚合物衍生陶瓷(PDCs)技术,以超纯聚硅氮烷(Si/N比 1.0±0.05,C杂质≤50ppm)经激光裂解+等离子活化烧结制备,获得具备非晶结构/多功能自适应的靶材。核心特性包括:
•全非晶网络结构(非晶占比 **>99%**,中程有序畴尺寸 <1.2nm)
•宽域介电调控(介电常数 ε=4.5-7.8可调,损耗角 tanδ≤10⁻³@1MHz-100GHz)
•极端环境惰性(1600℃氧化速率 ≤10⁻⁷ g²/cm⁴·h)
•生物相容活性(成骨细胞增殖率 **≥150% vs. 钛合金**)
在射频磁控溅射中实现薄膜硬度20-35GPa可控,高温介电稳定性**>1000小时@600℃**,突破MEMS传感器与植入式医疗器件的材料局限。
核心价值源于Si-C-N三元键合拓扑
➊ 自适应功能调控
•温敏电阻特性(温度系数 TCR=-4500+200 ppm/K,线性度 R²>0.999)
•辐照自修复效应(y射线10“ Gy照射后缺陷恢复率 >95%)
➋ 跨尺度稳定性
•热膨胀匹配(CTE 3.1±0.2x10-“/K,匹配单晶硅)
•纳米级致密化(孔隙率 <0.01vol%,孔径<2nm)
➌ 量子界面兼容
•超导量子比特退相干抑制(界面损耗 Q'>5x10')
•自旋注入效率(磁隧道结MR率 ≥300%@4K)
| 硅碳氮(SiCN)陶瓷靶材产品应用 |
主导应用覆盖智能微系统与生物医疗
1. 高温微电子封装
▸ 第三代半导体栅极介质(击穿场强 >8MV/cm)
▸ 航天级MEMS谐振器(Q值 >50,000@100MHz)
2. 植入式医疗器件
▸ 神经电极封装层(体液腐蚀速率 <0.1nm/day)
▸ 骨科智能支架(压电系数 d₃₃≥15pC/N,促骨生长)
3. 量子计算硬件
▸ 超导量子芯片绝缘层(介电损耗 tanδ<10⁻⁶@4K)
▸ 拓扑量子比特载体(表面态退相干时间 >100ns)
4. 深空探测系统
▸ 金星着陆器电子封装(耐硫酸云腐蚀 >5000h)
▸ 木星辐射带传感器(抗1MeV电子辐照 >10¹⁸ e⁻/cm²)