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硅碳氮(SiCN)陶瓷靶材

硅碳氮(SiCN)陶瓷靶材
  • 硅碳氮(SiCN)陶瓷靶材
硅碳氮(SiCN)陶瓷靶材基本信息
分子式SiCN
纯度99.5%
CAS号
摩尔质量
密度
熔点
沸点
溶解性(水)

硅碳氮(SiCN)陶瓷靶材产品概况

        采用聚合物衍生陶瓷(PDCs)技术,以超纯聚硅氮烷(Si/N比 1.0±0.05,C杂质≤50ppm)经激光裂解+等离子活化烧结制备,获得具备非晶结构/多功能自适应的靶材。核心特性包括:

•全非晶网络结构(非晶占比 **>99%**,中程有序畴尺寸 <1.2nm)

宽域介电调控(介电常数 ε=4.5-7.8可调,损耗角 tanδ≤10⁻³@1MHz-100GHz)

极端环境惰性(1600℃氧化速率 ≤10⁻⁷ g²/cm⁴·h)

生物相容活性(成骨细胞增殖率 **≥150% vs. 钛合金**)
    在射频磁控溅射中实现薄膜硬度20-35GPa可控,高温介电稳定性**>1000小时@600℃**,突破MEMS传感器与植入式医疗器件的材料局限。

核心价值源于Si-C-N三元键合拓扑

➊ 自适应功能调控

温敏电阻特性(温度系数 TCR=-4500+200 ppm/K,线性度 R²>0.999)

辐照自修复效应(y射线10“ Gy照射后缺陷恢复率 >95%)

➋ 跨尺度稳定性

热膨胀匹配(CTE 3.1±0.2x10-“/K,匹配单晶硅)

纳米级致密化(孔隙率 <0.01vol%,孔径<2nm)

➌ 量子界面兼容

超导量子比特退相干抑制(界面损耗 Q'>5x10')

自旋注入效率(磁隧道结MR率 ≥300%@4K)


硅碳氮(SiCN)陶瓷靶材产品应用

主导应用覆盖智能微系统与生物医疗​
1. ​高温微电子封装​
▸ 第三代半导体栅极介质(击穿场强 ​>8MV/cm)
▸ 航天级MEMS谐振器(Q值 ​>50,000@100MHz)
2. ​植入式医疗器件​
▸ 神经电极封装层(体液腐蚀速率 ​​<0.1nm/day)
▸ 骨科智能支架(压电系数 ​d₃₃≥15pC/N,促骨生长)
3. ​量子计算硬件​
▸ 超导量子芯片绝缘层(介电损耗 ​tanδ<10⁻⁶@4K)
▸ 拓扑量子比特载体(表面态退相干时间 ​>100ns)
4. ​深空探测系统​
▸ 金星着陆器电子封装(耐硫酸云腐蚀 ​>5000h)
▸ 木星辐射带传感器(抗1MeV电子辐照 ​>10¹⁸ e⁻/cm²)

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