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碳化钼(Mo2C)靶材

碳化钼(Mo2C)靶材
  • 碳化钼(Mo2C)靶材
碳化钼(Mo2C)靶材基本信息
分子式Mo₂C
纯度99.5%~99.98%
CAS号12069-89-5
摩尔质量203.89 g/mol
密度9.18 g/cm³
熔点~2690°C
沸点N/A
溶解性（水）不溶于水,耐酸碱腐蚀，化学稳定性好

碳化钼(Mo2C)靶材产品概况

碳化钼靶材是以高纯钼粉和碳粉为原料，经高温反应合成 Mo₂C 粉末，再通过热压烧结或热等静压（HIP）致密化，最后精密加工而成的功能性陶瓷靶材。

  • 外观：灰黑色致密金属光泽体，表面可抛光

  • 晶型：六方晶系（α-Mo₂C 稳定相）

  • 核心特性：高熔点（~2690°C）、高硬度（1800 HK）、良好导电导热性、优异耐腐蚀性和耐磨性、溅射稳定性好

  • 常见形态：圆盘靶、矩形板靶、旋转管靶，可绑定（In/Sn 焊料）或未绑定

  • 制备工艺：来料检测分析 → 热压烧结 → 精密加工 → 检测

  • 制备关键：碳含量精确控制是核心 —— 碳含量偏差直接影响相组成（Mo₂C/MoC 混相）和溅射性能；高纯原料 + 精确碳钼比 + 致密烧结是品质保障


碳化钼(Mo2C)靶材产品应用

① 半导体铜互连阻挡层（核心应用）
Mo₂C 薄膜作为铜（Cu）互连的扩散阻挡层，能有效阻止铜向硅基底扩散，同时与铜和低 k 介质的粘附性好。在逻辑芯片先进制程（28nm 及以下）中，Mo₂C 是 Ta/TaN 阻挡层的重要替代材料。
② OLED 显示 TFT 背板金属化
在 OLED 显示面板的薄膜晶体管（TFT）背板中，Mo₂C 薄膜用作栅极 / 源漏电极的阻挡层或粘附层，提升器件稳定性。
③ 硬质耐磨涂层
Mo₂C 涂层硬度高（~1800 HK）、摩擦系数低、耐磨性优异，用于切削刀具、模具、发动机部件、航空航天零部件的表面强化，可显著延长使用寿命。
④ 催化领域（"准铂催化剂"）
Mo₂C 具有类似贵金属 Pt 的电子结构和催化活性，用于加氢脱硫（HDS）、加氢脱氮（HDN）、烷烃异构化、水电解析氢（HER）等反应，是贵金属催化剂的低成本替代方案。
⑤ 超导薄膜
Mo₂C 在低温下具有超导性（Tc ~4-8 K），用于超导电子器件和量子信息研究。
⑥ WC 硬质合金烧结助剂
Mo₂C 作为 WC-Co 硬质合金的烧结添加剂，可降低烧结温度、改善致密度和力学性能。

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