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产品中心
PRODUCTS
碳化硅靶材（SiC）
| 碳化硅靶材（SiC）基本信息 | |
| 分子式 | SiC |
| 纯度 | 99.5% |
| CAS号 | 409-21-2 |
| 摩尔质量 | 40.097 |
| 密度 | 3.22 g/cm3 |
| 熔点 | 2830 °C |
| 沸点 | |
| 溶解性（水） | |
碳化硅靶材（SiC）产品概况
| 碳化硅靶材（SiC）产品应用 |
碳化硅是第三代半导体材料，具有带隙宽、热导率高、电子的饱和飘移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件和紫外探测器灯方面具有广泛应用场景。
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