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产品中心
PRODUCTS
碳化硅靶材（SiC）
| 碳化硅靶材（SiC）基本信息 | |
| 分子式 | SiC |
| 纯度 | 99.5% |
| CAS号 | 409-21-2 |
| 摩尔质量 | 40.097g/mol |
| 密度 | 3.22 g/cm3 |
| 熔点 | 2830 °C |
| 沸点 | 常压无沸点，高温下直接升华分解 |
| 溶解性（水） | 不溶于水、酸；可溶于熔融碱、熔融铁 |
碳化硅靶材（SiC）产品概况
碳化硅靶材属于碳化物陶瓷溅射靶，存在 α-SiC（六方）、β-SiC（立方）多种晶型；采用热压烧结、常压烧结或 HIP 热等静压工艺制备，可加工成圆形、矩形平面靶，可铟焊绑定无氧铜背板。 碳化硅具有高硬度、高热导率、宽禁带、耐高温、耐腐蚀、抗辐照等特性；靶材为半导体陶瓷，电阻率较高，一般采用射频（RF）磁控溅射，不易打火，溅射制备的薄膜硬度高、化学稳定性优异，颗粒少。
| 碳化硅靶材（SiC）产品应用 |
碳化硅是第三代半导体材料，具有带隙宽、热导率高、电子的饱和飘移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件和紫外探测器灯方面具有广泛应用场景。
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