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产品中心
PRODUCTS
硅化钴靶材(CoSi2)
| 硅化钴靶材(CoSi2)基本信息 | |
| 分子式 | CoSi2 |
| 纯度 | 99.9% |
| CAS号 | 12017-12-8 |
| 摩尔质量 | 115.104 g/mol |
| 密度 | 5.30 g/cm³ |
| 熔点 | 1277 ℃ |
| 沸点 | 无固定沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水；可被热浓盐酸、氢氟酸、浓硝酸、熔融强碱侵蚀；常温下耐稀酸腐蚀 |
硅化钴靶材(CoSi2)产品概况
二硅化钴靶材为黑灰色致密烧结硅化物靶，立方晶系，金属间化合物，电阻率低（约 18~25 μΩ・cm），热稳定性优良，与硅衬底界面匹配性好，可加工圆靶、方靶、台阶靶，常规背铜绑定；多用于磁控溅射制备低阻硅化物薄膜，是微电子、集成电路经典欧姆接触材料。
| 硅化钴靶材(CoSi2)产品应用 |
薄膜应用：
1. 半导体集成电路（VLSI/ULSI）：MOS 管源极、漏极、栅极自对准硅化物（SALICIDE）欧姆接触层，降低接触电阻
2. 硅基外延薄膜、CoSi₂/Si 异质外延研究
3. 射频器件、GaAs MESFET 栅极薄膜
4. 微电子互连、金属 - 半导体接触电极薄膜
5. 科研镀膜、低阻导电硅化物薄膜开发
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