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二硅化钼靶材（MoSi2）

二硅化钼靶材（MoSi2）
  • 二硅化钼靶材（MoSi2）
二硅化钼靶材（MoSi2）基本信息
分子式MoSi2
纯度99.5%
CAS号12136-78-6
摩尔质量152.11 g/mol
密度6.23～6.31 g/cm³
熔点1930～2030 ℃
沸点无明确常压沸点（高温分解）
溶解性（水）不溶于水、大多数酸（含王水）；可溶于硝酸 + 氢氟酸混合酸

二硅化钼靶材（MoSi2）产品概况

二硅化钼（MoSi₂）为四方晶系金属间化合物，灰色金属光泽固体，是磁控溅射 PVD 沉积 MoSi₂薄膜用靶材。采用粉末冶金、热压 / SPS / 热等静压烧结工艺制备，可加工成圆盘平面靶、矩形板靶、旋转管靶，可绑定铜背靶。 材料特点：导电良好，高温氧化环境下表面自动生成致密 SiO₂钝化膜，阻止基体持续氧化；低温硬脆，高温具备塑性；热稳定性优异，热膨胀系数低。

二硅化钼靶材（MoSi2）产品应用

薄膜应用：
1. 微电子 / 半导体：集成电路栅极、金属互连线薄膜、扩散阻挡层、接触层，降低 RC 延迟；MEMS 器件薄膜电极。
2. 高温抗氧化涂层：航空航天、燃气轮机、高温构件保护薄膜，用于钼、钨、铌等难熔金属基材表面，提升高温抗氧化能力，可耐受 1600℃以上氧化气氛。
3. 显示与光伏：TFT、OLED 导电薄膜、薄膜太阳能电池高温缓冲层、耐温电极。
4. 特种镀膜：红外光学防护膜、耐磨抗腐蚀功能薄膜、高温传感器薄膜。

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