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产品中心
PRODUCTS
三硒化二镧靶材（La2Se3)
| 三硒化二镧靶材（La2Se3)基本信息 | |
| 分子式 | La₂Se₃ |
| 纯度 | 99.9% |
| CAS号 | 12031-51-5 |
| 摩尔质量 | 514.70 g/mol |
| 密度 | 6.25 g/cm³ |
| 熔点 | 1080 ℃ |
| 沸点 | 高温下发生分解、硒挥发，无明确沸点；高温易失硒，靶材烧结 / 溅射温度不能过高。 |
| 溶解性（水） | 不溶于水；遇酸发生反应，释放剧毒硒化氢 (H₂Se) 气体；可被强氧化剂分解。严禁接触酸类。 |
三硒化二镧靶材（La2Se3)产品概况
三硒化二镧（La₂Se₃）溅射靶材，稀土硒化物半导体材料，立方 Th₃P₄缺陷型晶体结构，带隙约 2.6 eV。 由高纯镧、硒原料通过固相合成得到 La₂Se₃粉体，热压 / 热等静压致密化制备靶坯；可加工圆靶、方靶，可绑定铜背板。 材料化学稳定性差：在潮湿空气中缓慢氧化、硒流失，靶材必须真空 / 惰性气体密封保存；高温环境下容易发生硒元素挥发，造成薄膜化学计量比偏移。
| 三硒化二镧靶材（La2Se3)产品应用 |
薄膜应用：
1. 热电薄膜研发：稀土硫族化合物热电转换薄膜，高温热电材料研究（La₂Se₃在高温下热电性能优异）
2. 光电器件薄膜：宽禁带半导体薄膜，光电探测器、红外光学薄膜研发
3. 储能电极材料：超级电容器、固态电池电极薄膜基础研究
4. 稀土硫族化合物基础科研：薄膜生长、缺陷调控、材料机理研究
5. 红外窗口、非线性光学涂层研发
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