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产品中心
PRODUCTS
硒化锡(SnSe₂.₁)
| 硒化锡(SnSe₂.₁)基本信息 | |
| 分子式 | SnSe₂.₁ |
| 纯度 | 99.99% |
| CAS号 | 无独立 CAS号 |
| 摩尔质量 | 无固定摩尔质量 |
| 密度 | 4.6~5.0 g/cm³ |
| 熔点 | 无单一熔点 |
| 沸点 | 无固定沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水、稀酸；可被王水、浓热强酸腐蚀；可溶于浓强碱溶液 |
硒化锡(SnSe₂.₁)产品概况
SnSe₂.₁靶材是磁控溅射 PVD 用硫族化合物靶材，采用锡粉、硒粉按 Sn:Se=1:2.1 配比，真空固相合成、成型、真空热压烧结制备，可加工圆靶、方靶，可绑定铜背板。 属于二维层状 n 型半导体材料，CdI₂型晶体结构；富硒设计用来补偿溅射过程中硒元素损失，稳定薄膜化学计量比。靶材脆性大，硒高温易流失，优先采用 RF 射频溅射，溅射一般需要控制衬底温度，防止薄膜硒缺位。
| 硒化锡(SnSe₂.₁)产品应用 |
薄膜应用：
1. 二维半导体器件：二维 SnSe₂薄膜，场效应晶体管、微纳电子器件。
2. 光电探测器：可见光 / 近红外光电探测芯片，响应速度快，用于微光传感阵列物理学报。
3. 薄膜热电器件：n 型层状热电薄膜，微型温差发电芯片、微型制冷器件。
4. 薄膜气体传感器：NO₂、VOC 等气体敏感薄膜，MEMS 微型气敏传感器。
5. 光伏与储能：薄膜太阳能电池缓冲层、钠离子电池负极薄膜。
6. 科研实验：磁控溅射、PLD 脉冲激光沉积，二维硫族半导体薄膜机理研究。
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